硅光电池特性与研究 201103.pptVIP

硅光电池特性研究 空间科学与物理学院物理实验中心 [研究对象] 光电池 光电转换元件，光能转换成电能 常见：硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜等 用途：光辐射探测器件，用于气象、农业、林业等；光电自动控制和测量装置…… 原理：光生伏特效应 [实验目的] 掌握PN结形成原理及其单向导电工作机理； 学习发光二极管LED的工作原理，输出光功率与驱动电流的关系； 掌握硅光电池的工作原理、伏安特性、负载特性等基本特性。 尝试设计硅光电池的应用，如验证马吕斯定律、测定溶液的透射率等。 [实验仪器] TKGD—1型硅光电池特性实验仪 [PN结的形成及单向导电性] 正偏 零偏 反偏 空间电荷区 耗尽区 无可动载流子 势垒 高阻抗 宽度约为：几微米~几十微米 导通 LED发光机理 当PN结加正向电压时，孔穴与电子在复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙Eg有关，λp=hc/Eg。 发光二极管输出光功率与驱动电流的关系， P=ηEpI/e，η为发光效率，Ep为光子能量。 [LED工作原理] 硅光电池的工作原理 光电转换器件主要是利用光电效应（当物质在一定频率的照射下，释放出光电子的现象）： a. 光电子发射或者外光电子效应 b. 内光电子效应 c.光生伏特效应 光电