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光催化氧化水处理技术在工业化应用中的问题探讨 龚祺吴 【摘要】光催化氧化水处理技术由于其氧化有机污染物无选择性， 光催化氧化进行必须有光的参与，只有当入射光子的能量大 降解产物无害化及彻底性 ，正越来越受到人们的关注。但是 ，目前 于或等于光催化剂的禁带宽度才能激发光催化氧化反应 。光子的 光催化氧化水处理技术只处于实验室研究阶段 。本文综合介绍 了 能量值近似为 3．2×1O。J，可使大多数的有机或无机化合物的化 光催化氧化技术的基本原理 ，从光源、光催化剂、光催化反应器等 合键断裂。如何提高光源利用率一直是困扰光催化氧化技术工业 方面探讨工业化应用的问题 。 化应用的难题。 【关键词】光催化氧化，工业化，光催化剂 2．1自然光源。常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都在紫 外区域，尤其以水处理为 目的的高级氧化技术，都是以应用紫外辐 光催化氧化技术起源于 20世纪 7O年代，Fujishima和Honda 射为主。此种方式对分解有机物效果显著，但需消耗电能，费用较 发现Ti0 电极上光催化分解水的现象，引起了人们对光诱导氧化 高。一部分近紫外光 (290~400nm)极易被有机污染物吸收，尤其 还原反应的兴趣。光催化氧化是利用吸收光子能量的中间产物形 是高浓度有机废水中，其透光率低，吸收效果明显。紫外部分仅 占 成激发态，然后再诱导引发反应物分子的氧化过程，将有机污染物 太阳总辐射的5％，其总量很小，太阳光利用率较低，严重制约光催 转化为H202、CO、p043-~S042-、NO 卤素离子等无机小分子，达到完全 化氧化技术工业化应用。利用 日光为驱动力的高级氧化技术在总 无机化的目的。国内外学者对光催化氧化技术进行广泛而深入地 体上尚处于实验研究阶段。如何提高太阳光利用率，过滤其他无用 研究。但是，这些研究大多数处于实验室研究，工业化实际应用几 波长的光和如何延长激发波长一直是光催化剂改性研究的一个重 乎没有。光催化氧化技术发展到现在 已有 40多年历史。为何光催 要方 向。 化氧化技术达不到实用 目的，是本文阐述和探究的中心问题，从光 2．2人造光源。人造光源也是光催化氧化技术光源利用的一项 源、光催化剂、光催化反应器等角度 ，来探讨光催化氧化技术工业 选择。例如高压汞灯、低压汞灯、杀菌灯、黑炽灯等，可以发出波长 化应用问题。 为 180~380nm紫外光。刘刚采用光催化氧化技术对辛醇和PTA废 1光催化氧化的基本原理 水进行处理，高压汞灯和低压汞灯的CODcr去除率是相同的，但高 半导体光催化氧化的基本原理是依据 电子 一空穴理论，半导 压汞灯对炭黑废水CODcr去除率较高。李丽洁等研究比较了水银 体材料之所 以能作为催化剂是由其 自身的光电特性所决定的。半 灯 (185nm)、杀菌灯 (250~260nm)、黑光灯 (300~400nm)对 2，4一 导体粒子具有能带结构，一般 由填满 电子的低能价带 (valence， 二硝基苯酚的降解效率，实验表明达到相同降解效率所需时间为 VB)和空的高能导带 (conductionband，CB)构成，价带和导带之间 水银灯杀菌灯黑光灯。人造光源有一些弊端，具有成本昂贵， 存在禁带，当半导体受到能量等于或大于禁带宽度的光照射时，其 对人体有害的缺点。高压汞灯发出的短波紫外光危害人体健康；同 价带上得 电子 (e一)受激发，穿过禁带进入导带，同时在价带上产生 时其有效弧长只有 102mm，不便于在工业装置中应用，且功率大，耗 相应 的空穴 (h+)。半导体粒子 由光激发产生的电子 ／空穴对 能高。人造光源要达到光催化氧化大规模工业化应用的程度，必须 (e1ectron／holepair)分离后各 自向粒子表面迁移。分离后的光 要解决人造光源成本昂贵的问题，找到一种成本低廉，放光性质 生电子和空穴在迁移过程中由于存在被俘获和复合的竞争，有可 好，无杂光的人造光源。 能在颗粒 内部或表面重新复合而失去反应活性，降低了光催化反 3光催化剂 问题 应效率。没有被复合的光生空穴迁移到颗粒表面后，被表面吸附的 光催化剂是光催化氧化反应发生的主体和核心，其活性和固