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第4章 场效应管及其电路 本章要点 MOS管的原理、特性和主要参数 结型场效应管原理、特性及主要参数 场效应管放大电路的组成与原理 本章难点 MOS管的原理和转移特性及主要参数 场效应管的微变等效电路法 场效应管(FET)是一种电压控制器件，它是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的。它具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、耗电省等优点，目前已被广泛应用于各种电子电路中。 场效应管按其结构不同分为结型(JFET)和绝缘栅型(IGFET)两种，其中绝缘栅型场效应管由于其制造工艺简单，便于大规模集成，因此应用更为广泛。 4.1 绝缘栅场效应管(MOSFET) 绝缘栅型场效应管简称MOS管，由于其内部由金属—氧化物—半导体三种材料制成，可分为增强型和耗尽型两大类，每一类中又有N沟道和P沟道之分。下面主要讨论N沟道增强型MOS管的工作原理，其余三种仅做简要介绍。 4.1.1 N沟道增强型场效应管(NMOS管) 1．结构 N沟道增强型MOS管的结构如图4-1(a)所示。它是在一块掺杂浓度较低的P型硅片(称为衬底)上，通过扩散工艺形成两个高掺杂的区，通过金属铝引出两个电极分别作为源极S和漏极D，再在半导体表面覆盖一层二氧化硅绝缘层，在源漏极之间的绝缘层上制作一铝电极，作为栅极G，另外从衬底引出衬底引线B(工作时通常与源极S接在一起)。在两个区之间的半导体区，是载流子从源极S流向漏极D的通道，把它称为导电沟道。由于栅极与导电沟道之间被二氧化硅所绝缘，故将此类场效应管称为绝缘栅型。 图4-1(b)N沟道增强型MOS管的符号，其中箭头方向是由P(衬底)指向N(沟道)，由此可判断沟道类型。符号中的三条断续线表示不存在导电沟道，它是判断增强型MOS管的特殊标志。 (a)结构示意图 (b)电路符号 图4-1 N沟道增强型MOS管 2．工作原理 工作时，N沟道增强型MOS管的栅源电压和漏源电压均为正向电压，如图4-2所示。 图4-2 N沟道增强型MOS管工作原理 (1) 栅源电压时的情况 此时，漏源之间为一条由半导体N-P-N组成的两个反向串联的PN结，因此即使加入漏源电压，因无导电沟道形成，漏极电流，如图4-2(a)所示。 (2) 栅源电压，漏源电压时的情况 由于源极与衬底相连，所以从栅极经绝缘层到衬底间形成了垂直于半导体表面的电场。该电场排斥P衬底的多子(空穴)，同时吸引其中的少子(电子)，当栅源间的正电压达到某一数值后，在P衬底靠近栅极的表面就会形成以自由电子为主体(即N型半导体)的导电薄层。这种由P型半导体转化成的N型薄层，被称为反型层。反型层使漏源之间形成一条由半导体N-N-N组成的导电沟道，如图4-2(b)所示。若此时加入漏源电压，就会有漏极电流产生。我们把开始出现漏极电流时的栅源电压称作开启电压，用 表示。 栅源电压大于后，越大，垂直电场就越强，反型层越厚，导电沟道的断面就越宽，加上漏源电压后形成的电流就越大，体现出“增强型”的含义。由此可以看出，通过改变的大小，能够起到控制输出电流的目的。 3．特性曲线 (1) 转移特性曲线 转移特性曲线是指增强型NMOS管在漏源电压一定时，输出电流与输入电压的关系曲线，即 它表示在某一固定的下，输入电压对输出电流的控制特性，图4-3(a)所示的为的一条转移特性曲线，曲线上处的值就是开启电压。转移特性曲线的表达式为 () (4-1) 式中，是时的值, 为开启电压。 (2) 输出特性曲线 输出特性是指增强型NMOS管在栅源电压一定时，输出电流与漏源电压的关系曲线，即 如图4-3(b)所示，下面参照输出特性曲线，简单分析对的影响情况。 图4-3 N沟道增强型MOS管特性曲线 在正向电压的作用下，自漏极流至源极，于是在导电沟道上就产生了压降，使得沟道上各点与栅极间的电压不再相等，靠近漏极附近的电压小于源极附近的电压。漏极附近的电场减弱，反型层变薄，导电沟道呈楔形，如图4-4所示。若值较小，沟道形状变化不大，与成线性关系，若再继续增大，漏极附近的沟道将变得更薄，直至时沟道被夹断，此后随着的增大，夹断区向源极方向延伸，漏极电流趋于饱和。 图4-4 NMOS管对的影响情况 4.1.2 P沟道增强型场效应管(PMOS管) P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管的主要区别在于作为衬底的半导体材料的类型不同，P沟道增强型MOS管以N型硅作为衬底，另外，漏极和源极是从引出，反型层为P型，对应的导电沟道也为P型结构，其符号如图4-5所示。 图4-5 P沟道增强型MOS管电路符号 在工作过程中，P沟道增强型MOS管的、的极性