掺杂和烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷微结构和电性能影响.pdfVIP

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2017-09-01 发布于江苏
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掺杂和烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷微结构和电性能影响.pdf

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掺杂和烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响摘要本文利用正电子寿命谱仪和双高纯锗探头一二维多道符合技术正电子温度对其电性能的影响，得到如下结果： (1)测量1 结的样品，其压敏电压总体比较低，漏电流总体较小。1250℃烧结的样品的符合正电子多普勒展宽商谱的谱峰比1100℃烧结的样品高，前者的平均正电子寿命比后者的小。的谱峰最低，正电子平均寿命最长。没多普勒展宽商谱的谱峰最高，正电子湮没的平均寿命最小。和对 (4) 以半导化的 ZnO-Nb205ZnO—Cr203 250C烧结的压敏陶瓷，其 ZnO—Bi203．Ti02一Mn02．C0203-Nb205分别掺杂经1 T 漏电流较高。样品的符合正电子多普勒展宽商谱的谱峰和正电子湮没平均寿命居中。 1250。C)烧结所引起的微结构变化的对其电性能有很大的影响。关键词：压敏陶瓷压敏电压漏电流非线性系数微观缺陷掺杂准号：桂科回0832003)资助项目。 II EFFECTSoFDOPANTSANDSINTERING ON MICRoSTRUCTURESANDELECTRICPRoPERTIESoF LOW．VOIJ’AGEZnoVAIUSToRCERAMICS ABSTRACT TheVariationofdefectsand3delectronsin withdifferent and varistorceramics ZnO--Bi203·-Ti02··Mn02·-C0203-Nb205 1 been and l00。Cand investigated sinteringtemperatures(1250。C)have dopants the lifetime andthecoincidence byusing positron spectroscopy Doppler instrument．Theeffectsof of annihilationradiation positron dopants broadening theelectric ofthevaristorceramics and on simefingtemperatures properties havebeendiscussed．The resultsareasfollows： experimental oftheelectric resultsobtainedfromthemeasurements properties (1)The for and ZnO．Bi2