Au基体上Bi3%2b的电沉积过程研究.pdfVIP

Au基体上Bi3+的电沉积过程研究 李菲晖。王为 (天津大学化工学院应用化学系，300072) [摘要】采用电化学交流阻抗法结合循环伏安及阴极极化曲线的测试，对Bij．在Au电极上 的电沉积过程进行了研究。结果表明，吖+在Au电极上的电化学还原过程经历了首先由3价还原 为2价，再由2价还原为原子态铋的过程，且Bi】+在Au电极上的电沉积以及Bi的氧化过程为不可逆 电化学反应； [关键词】 电化学方法；电沉积；机理、Bi3+ O引言 水洗涤等前处理。文中所列电位均为相对于饱和 甘汞电极的电位。 Bi：Te，掺杂化合物及其衍生物因为具有相对 循环伏安曲线的测试条件：溶液温度为室温． 较高的热电转换效率，目前仍然是低温范围应用最 抟毽馕、摭 无搅拌，从稳定电位开始扫描，起扫为负向，扫描速 多的温差电材料。有关块状Bi：Te，掺杂化合物及 度为10mV·S～。 ¨ 其衍生物的研究报道很多，而薄膜和纳米线的研究 o 阴极极化曲线的测试条件：溶液温度为室温。 o ∞ 工作才刚刚展开。电化学技术由于其特有的优势， 起扫电位为稳定电位，扫描速度0．1mV／s。 前 已经成为合成这些薄膜和纳米线的主要方法。近 口 交流阻抗测试条件：溶液温度为室温，无搅拌。 血 来，研究者们采用电化学沉积的方法在水溶液或非 测试电位幅值为5mV，测量频率范围为105Hz一璐 水溶液中成功制备了Bi：Te，薄膜”一71。然而目前 U 10—3Hz。 咕 大部分的研究还只着眼于简单的合成，系统分析其 眯 电沉积过程的研究报道很少，对具体的沉积机理缺 2结果与讨论 端 乏深入的探讨。为此，作者采用交流阻抗测试技术 鎏 口 结合阴极极化曲线和循环伏安测量，对Bi3十的电 2．1循环伏安分析 沉积过程进行了研究，对其沉积机理进行了探讨。 Au电极在Bi3+镀液中的循环伏安曲线如图1 在此介绍相关研究结果。 所示。可以看出，在阴极扫描过程中，电流自一 40rnV左右开始上升，在一58mV出现了Bi3十的阴 l实验方法 极还原峰。在随后的阳极回扫时，阳极氧化峰出现 测试溶液中