Eu3%2b掺杂纳米多孔二氧化硅薄膜的制备及其发光性研究.pdfVIP

筇14巷々辑 。b 倒 ￥争 体 技 卞 V．I．14 Supt,] 2008 2008年4』j China and ApriI PowderScience Technology Eu3+掺杂纳米多孔二氧化硅薄膜的制备及其发光性研究 林金辉，魏双凤，王美平 (成都理工人学材料科学与I：程系，四川成都610059) 果表明，薄膜表面颖粒分布均匀，为纳米多孔网络结构和无定形态，分析了不同退火温度和不同El】3+掺杂浓度对薄膜荧光性 能的影响，薄膜发射光谱中出现620nln发射峰，为Eu3+特征发射光谱；随退火温度升高，薄砹发射光的强度增大；当E一+掺杂 浓度为0．5％时，薄膜发光强度最大． 关键词：Fu3+掺杂；纳米多孔si02薄膜；发光性：溶胶一凝胶技术 2l世纪是高度信息化的时代，以硅、{，．面技术为 1．2 Eu3+掺杂纳米多：j：L--氧化硅发光薄膜材料的 基础的微电子器件所能提供的信息处理速度在迅速 制备 发展，但己逐步走向极限。实现硅基光电集成长期 将22．4mI．TEOS与11．7mL的无水乙醇混合， 以来一直是人们追求的理想，关键问题是探索以硅 磁力搅拌使混合均匀(称溶液I)。另取11．7mL无 水乙醇加一定量的去离子水，滴加适虽HCI，磁力搅 为基质的发光材料[1一J。纳米多-fL一-氧化硅薄膜是 一种性能优良的介质材料，它具有密度低、折射率可 拌使混合均匀(称溶液2)。将溶合液2缓慢倒入溶 调、介电常数低、热稳定性好等优点，在集成电路、电 液1中，保持pH=2。3，同时不断搅拌。向混合液 子器件和超声探测器等领域应用广泛15“]。纳米多 中添加不同质量浓度的Eu(N03)3，室温下搅拌制得 孔二氧化硅薄膜作为硅集成电路中的钝化膜和介质 溶胶，溶胶陈化，用于镀膜。 膜，其制备工艺与现行硅平面工艺完全兼容，如果它 将硅片在去离子水中超声清洗后，用无水乙醇 清洗，取出晾干后固定在镀膜机上，提拉速度控制在 具有良好的发光特性，那么硅基光电f集成就较为 6cnvmin进行镀膜。将镀好的湿膜窒温下自然下燥 容易实现，同时为硅基光发射材料的研究开辟新的 20～30 min后，在100℃F干燥1h，自然冷却至室 途径。本文采用溶胶一凝胶技术和浸渍提拉镀膜 温，取出进行卜一次镀膜。重复以上步骤，制得不同 法，在硅片上制备了fcu3+掺杂纳米多孑L二氧化硅发 层数的薄膜，奉实验制备的薄膜为3J2-。 光薄膜，利用XRD、SEM、FFIR、荧光分光光度汁对薄 将薄膜以2～3q12／min的升温速度升至不同温 膜性能进行表征，探讨了不同退火温度和不同Eu3+ 度，分别在500，600，700，800cC下保温4h，自然冷 浓度掺杂对薄膜发光性能的影响。