InAs%2fGaSb二类超晶格红外探测材料及器件研究.pdfVIP

MBE2013 专题邀请报告 IS1 InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料及器件研究 马文全 中国科学院半导体研究所，北京海淀区清华东路甲35 号, 100083 Email: wqma@semi.ac.cn 锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料具有二型能带结构，电子有效质量大，俄歇复合率低，波 长调节范围大 （约2-30微米），在高性能制冷型红外探测器领域具有重要应用。与碲镉汞红外探 测器相比，二类超晶格红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性 能相当，在甚长波波段则有较大优势；与量子阱红外探测器相比，其量子效率高，载流子寿命长, 性能远高于量子阱红外探测器。因此锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料目前在国际上红外探测器 领域引起了广泛关注，在国防与民用领域都有广泛的应用。 在本报告中我将向大家汇报我们在分子束外延生长锑化物二类超晶格红外探测材料与器件 研究方面的进展，我们已经生长出质量极高的超晶格材料，并且研制成功短波、中波、长波、甚 长波及窄带双色红外探测器器件[1-5]。中波、长波及甚长波p-i-n 型器件结构的X 射线双晶衍 -4 射卫星峰半宽分别为20、17 和21 弧秒，应变在10 量级，表明生长的材料具有极高的质量。中 11 0.5 波器件在77K 温度下50%截止波长为4.8 微米，4.2 微米处探测率为2.4×10 cm·Hz /W ；长波 器件在77K 温度下50%截止波长为9.6 微米，峰值响应率为3.2A/W，p-i-n 型器件结构X 射线双 晶衍射卫星峰半宽只有17 弧秒，材料质量为目前世界上已有报道中最好结果；甚长波器件在77K 温度下的 50%截止波长为 14.5 微米，Johnson 噪声限制的探测率为 9 0.5 4.3×10 cm·Hz /W, p-i-n 型器件结构X 射线双晶衍射卫星峰半宽只有 21 弧秒，材料质量为目前世界上已有报道中最好结 果；成功研制出通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波/甚长波 InAs/GaSb 二类超晶格红 外探测器器件,此器件在77K 温度下50%截止波长分别为10 和16 微米，响应谱属于窄带型，两个 响应带的光学串音只有约10%。 参考文献: 1. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y. Wei, Y.H. Zhang, K. Cui, Y.L. Cao, X.L. Guo, and J. Shao, IEEE J. Quantum Electron. 48, 1322 (2012). 2. J.L. Huang, W.Q. Ma, Y.L. Cao, Y. Wei, Y.H. Zhang, K. Cui, G.R. Deng and Y.L. Shi, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 074002 (2012). 3. Y.H. Zhang, W.Q. Ma, Y.L. Cao, J.L. Huang, Y. Wei, K. Cui, and J. Shao, IEEE J. Quantum Electron. 47, 1475 (2011). 4. Y. Wei, W.Q. Ma, Y.H. Zhang, J.L. Huang, Y.L. Cao and K. Cui, IEEE J. Quantum Electron. 48, 512 (2012). 5. Y.H. Zhang, W.Q. Ma, Y. Wei, Y.L. Cao, J.L. Huang, K. Cui, and X.L. Guo, Appl. Phys. Lett. 100, 173511 (2012). 12