p-Si+TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究.pdfVIP

堂垡塑箜!P：墅墅!塑丝丝星旦璺型篷堕塑型鱼量堑塞 堡 TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究水 p．Si 张化福1，刘汉法1，祁康成2 (1．山东理工大学物理与光电信息技术学院，山东淄博255049；2．电子科技大学光电信息学院， 四川成都610054) 摘要：以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离带弯曲的表面势，‰为栅极与有源层之间的接触电势 子体增强化学气相沉积(RF．PEcVD)法在多晶硅(p．si)差，Q秘是由绝缘层中的固定电荷、可动离子和界面态(将 衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试． 它们等效为表面态电荷)所产生的感应电荷密度，QB为 系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对SiN 耗尽区饱和时有源层表面电荷的面密度，％为栅绝缘层 薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响．在制备高 单位面积电容，W和L分别为沟道的宽度和长度，鼬和 质量的p．si’IFr栅绝缘层用siN薄膜方面具有重要的鳓分别表示电子和空穴的迁移率，％为栅极电压，’，bs 参考价值． 为漏、源极间电压，A是与绝缘层界面态有关的比例因 关键词：PEcvD；SiN薄膜；反应源气体流量比；反子，点’鳅为绝缘层的光学禁带宽度，r为温度，d为有源 应压强 层的厚度。要实现高质量的显示，应该满足： 中图分类号：TB34；TNl04．2文献标识码：A ‰105～106 (4) 文章编号： 1001．9731(2007)增刊．0025．04由公式(1)可知，绝缘层中的表面感应电荷密度 和绝缘层单位面积电容对蜥的稳定性有较大的影响， 1 引 言 所以应尽可能减小绝缘层中可能存在的离子密度，提高 被誉为“第三代平板显示器”的有机电致发光显示 绝缘层阻挡离子扩散的能力，同时还要适当增大栅绝缘 层单位面积的电容。 (OLED)是当前平板显示器研究行业中热门中的热点， 是未来手机显示屏、笔记本电脑、平板电视等普遍采用 的显示器。它不但具有液晶显示器(LCD)的重量轻、SiN薄膜对k和正啦有很大影响。一方面，增大an和 厚度薄、驱动电压低、功耗小以及大容量、高像质的显 示性能外，还具有响应速度快、真正环保的性能。LCD 的相对介电常数‰和厚度如，％越大，础越小，则k 是电压控制型显示器件，而0LED是电流控制型显示器越大，但是绝缘层薄膜厚度的降低受到一定限制，所以 件，其亮度正比于流过它的电流强度的平方，因此它对 常考虑尽量提高介电常数％，来达到目的；另一方面， 象素驱动单元TFT的性能要求更高。传统栅绝缘层二 采取强电场效应可提高从，也可提高，on，这要提高SiN 氧化硅薄膜阻挡杂质粒子扩散的能力很差，从而大大降 薄膜的绝缘强度，即尽可能提高‰。增大五0可以减小 低了TFI．的稳定性能。而SiN薄膜除了具有优良的电J矗；另外，由于A与SiN薄膜的界面态有关，可通过 学性能外，还具有较大的介电常数及强得多的阻挡Na+ 减小界面态来降低k。 扩散、水汽渗透以及其它杂质粒子扩散的能力，所以我 3实验 们选取了SiN薄膜作为Ⅱ叩栅绝缘层。 本实验采用的镀膜设备是由电子科技大学与沈阳市 2 S：iN薄膜的性能对Ⅱ丌工作特性影响的分析 天成真空仪器研究所联合研制的直接型PE}CvD 在Tn川洒℃D和TFr．√蝴OUD中，11叩工作的 阈值电压h、开态电流，蚀和关态电流h分别为f1_3】：应源气体是高纯NH3和高纯Si】黾，用氩气来调节系统的 h=K+‰一