超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 超薄Si02软击穿后I-V特性的饱和性质研究 许铭真谭长华段小蓉何燕冬 北京大学微电子研究院，100871 摘要： Difference 本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(Proportional Operator， PDO)研究了超薄SiO。在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质。 实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一 次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关。基于缺陷散射机制，得到的第一 次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致。 I．引言 软击穿(Soft 式，在产生少数几次SBD后器件依然还能工作。因此，对于器件在SBD以后的，一y特性的 研究，受到广泛关注。自从1994年发现SBD现象[卜2]以来，至今已经有十年之久的研究。 人们已经提出三类电流模型：变频跳跃导电(VariableRangeHopping，VRH)模型[3]、 来解释所得到的SBD以后的卜．y特性。但是，至今已有的模型仅能在有限的电压范围内 与实验相符合，尚无一种模型能够解释较宽电压范围内的，一y特性。 特别是SiO。厚度小 十 于3nm时，在高压端出现的二次饱和现象，上述的模型不能给出合理的解释。(因为在上 述的模型中，电流随电压的增加而增加，并无饱和现象)。对于高压端出现的二次饱和区， 有人认为是与击穿通道的扩展电阻相关[8]，而对于第一次饱和现象，至今没有找到适 当的解释。本文利用电子速度饱和概念，提出一种定量解释SBD以后，卜．y特性出现第 一次饱和性质时的经验关系式。 II．模型 1．SBD，一y特性的表述式 在低场(低电压区)，认为，一y特性近似欧姆性质。而在高场(高电压区)，由于电子 在SBD通道中遇到声子散射，使其迁移率下降。此后，当电子的动能达到声学光子的能量 (O．135eV)时，其运动速度达到饱和值(=2×107cm／sec)[9]，电流也随着达到饱和值。 故得到新的可用来定量描述SBD卜．y特性的表述式： k刊oF=A州BD，tOF／∽≯ ㈩ 其中，F。是特征电场，Ⅳ肋是发生SBD时SiOz中的体缺陷密度[10，11]， Ⅳ肋=1．26x102。cm～；№是低场SBD通道迁移率，而且上：上+ ! ， ∥o ／』SiO ／．zs；xoy 2 24 cm／sec·V。 cm／sec·o，。丁是，№23·4 ＼lasi02--zICIII／sec．。，]tSixoy 由(1)式描述SBDI—V特性的特征是： ．169． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 当F／C1时， ，=A已Ⅳ肋∥oF (2) 即，电流，与电场F之间有线性关系。 (3) 当FIFc1时，，=，s=AeNBD／zoC=AeNBDu。=const． 即，电流，趋于饱和值厶。其中，电子在SiO：中的饱和速度口。与特征电场C之间维持 近似的线性关系，”。=∥。只。 2．特征电场C、SBD饱和电流密度Js、电子在SiOz中的饱和速度。和第一次SBD通道 面积A渤的确定 应用比例差分方法[12—14]，由(1)式得到， V叫