单槽电沉积法制备Cu%2fNi纳米多层线及其巨磁电阻研究.pdfVIP

C．074 单槽电沉积法制备Cu／Ni纳米多层线及其臣磁电阻研究 班砉j】ij_睦1F 堂里里’ t天津走学化I晕院够d表面棱求聃宽重王津．{00072．E J mail丑vg@F“edu．cn 多层蚺求线是研觅{．施垂直于塍面F呵巨谊电Ⅱ触厦fCPP—GMR)昀理想结构，科芒的研究有 助于获得材料的自艟扩战长度rSDL·和目旋教射非对荇圈子等材辑常数．对指，i巨硅甲J阻效应的 机理具有重要的意义” 本昕究室曾以AAO棋板匀电极成功台成TcuNi Ag Fe2【Ni，(10聚苯胺菩单皇属和台 盎纳米线，同时还剖用烈憎电沉袒j}成曲制鲁7Cu／Ni以致CuiCo多最纳术线相比干艘榜注，单槽 j击操作简单，可以避免镀顺定咒枣维易{宴现工业化率z呆厩{槽蔗疰AAO撵板中巴沉积Cu／Ni 多层纳米线，对多层兰内求蛙的形虢避’r7最彳三，考察，对每岳纳求?t!诳rr阻性能产生影响的田素． 1．实验部分 按照灭献『2]工艺制各j’AAO獯垭，封装成1cm。1cm曲电极．采用堕槽双脉冲控电位珐，制备 Cu／Ni纳米多层蠛。罘用三电证体系 _|71AAO模扳为工作电极钌铖嘲为辅砷电极，饱和甘汞电极作 ImoYL， 为参比电极，买验中所青电极鼋位均相对于饱和甘汞电槛(SCE沌位．电帮液组成为NiSOa 5mol／L，CuSOa0,01 35V 85V． H，BO，0 nlol：L，Cu层妁_冗积电拉走．0Ni层的玩积电位为．0 用4moll．NaOH暗j慢；全旃帮AA0}#垣势7≈-Cu／Ni多层帮书巍蜓，．尊。趟声舒散5min后， FI!SCANt-i、vEGA1 S-5130SB 滴在盖玻片上自然千雌§m亿廿理r；司碰蔷r々2显擞锭(SEM 利用物理盐能驯试能lQtianiuln05司．OD)删量纳米墁阵刊∞巨班中甩性能 2、结果与讨论 2ICu／Ni纳米多层线柏移规表征 圉1是Cu／Ni纳米多层线眈gEM圈，可眦音一乩纳米线舟散性较好表面光滑 圉2是Cu／Ni纳米 层．所以较暗的部分对应}Nl虽腰约匀40nm、商较亮甜分对应干Cu．长腹约为10rim． 图1 Cuagi箩最纳求蝮的SUM酗 圉2 Cu／Ni纳米乡层逝的TEM图 1 SEM ofCu／Ni nanowires2ItM CtdNi nanowire Fig images mullilayered Fig imageofmuhilayered 22多层纳米线的巨磁电阻效应 值为42．6％，饱和磁场为30000e。最大磁灵敏度为0014％／Oe． 层犀度应该远远小于cu的SDL(一般认为是140rim口’)． C．074 4 、＼ Icu=8n而 、I 3