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低电阻率单晶硅电火花/ 电解复合切割 表面完整性研究 汪炜 刘志东 田宗军 黄因慧 刘正埙 南京航空航天大学机电学院 南京 210016 摘要：随着半导体产业应用需求不断扩大和晶硅原料供应的严重短缺，大尺寸超薄硅片切割技术日益成为缓解这 一矛盾的重要途径之一。除了传统的内圆切割和多线切割方法之外，近年来，基于无切削力放电原理的电火花线 切割加工方法被引入该技术领域，使得低电阻率掺杂硅片的放电切割成为可能。本文以表面完整性作为突破口， 创新采用基于复合工作液的高速走丝电火花电解复合切割方法，对低电阻率(0.01~1Ω ·cm)单晶硅片的切割效率、 表面质量和切割厚度等技术指标进行了试验研究。试验结果表明，通过合理选择电规准和工作液等相关工艺参数， 最大切割效率可达 600mm2/min,切割厚度可小于 120μm ，与低速走丝电火花线切割相比显著减少表面热影响区和 有害金属元素残余，为该项技术的进一步推广应用提供了重要的理论和实践参考依据。 关键词：电火花电解复合加工 切割 低电阻率 硅片 表面完整性 中图分类号：TG61 TG662 TM23 0 前言 硅片切割是硅片加工的重要工序，常用切割方法有：外圆切割(OD saw)、内圆切割(ID saw)和线切割 (Wire saw) 。采用外圆切割大直径硅片时，刀片因为太薄且受到硅片径向压力，容易产生变形和侧向摆动， 使材料损耗加大，表面不平整。内圆切割方法是在刀片内径电沉积金刚石磨料作为切削刃切割硅片。对于 大尺寸( 200mm)小厚度( 300μm) 的硅片加工，内圆切割的产能远不能满足实际生产要求，多线切割技术已 成为目前主流技术。但是，由于多线切割加工原理的局限性，需要对切割线振动控制、切割线寿命、磨料 和切削液利用率等关键技术开展深入研究，从而减少切缝损失和提高表面质量。因此，在大尺寸超薄硅片 [1-2] 切割应用中，目前多线切割技术研究水平还难以满足工程应用需求 。 当前，硅片的切割、研磨和抛光加工技术业已进入 300mm 硅片的加工领域。显然，采用传统的硅片 加工方法，已经达到了成本和精度的极限。因此，硅片加工技术的革新已经成为相关产业瞩目的焦点。 电火花线切割(WEDM)原理是利用工件和工具电极丝之间的脉冲性火花放电，产生瞬间高温使工件材 料局部熔化或汽化，从而达到加工目的。它是一种与晶向无关、非接触、宏观加工力很小的加工方式。低 电阻率硅片的低速走丝电火花线切割(WEDM-LS)技术已有报道[3-5] ，由于没有宏观机械切削力，与现有内 圆切割和多线切割相比，LSWEDM 方法在切割厚度等方面具有较大的技术优势。但是在相关研究中，由 于采用去离子水作为加工液，放电能量较大，硅片表面有明显的热影响区，加工效率不高，并且没有考虑 硅片表面金属元素残留问题，所以，目前尚不能与硅片制造工艺兼容。 国内采用高速走丝电火花线切割(HSWEDM)方法进行半导体材料加工可以追溯到 20 世纪 80 年代末， 浙江大学曾开展过相关技术的基础研究[6]，但是，由于当时 HSWEDM 加工精度和效率的制约，该项研究 未能深入开展下去。近年来，南京航空航天大学在国内率先开展了电火花电解复合切割硅片技术研究，通 过研究切割方式、工作液类型、电源及控制策略等因素对硅片表面质量和加工效率的影响，以掌握减少切 割表面显微裂纹及热影响区等关键技术为研究目标，进行了低电阻率硅片切割的基础研究工作，最高切割 效率已达 600mm2/min ，切割厚度小于 120μm 。 1 方法 HSWEDM 机床是具有我国自主知识产权的电加工设备，具有较高的性价比以及使用方便等特点。为 实现低电阻率掺杂硅片的电火花电解复合切割，在现有的 HSWEDM 机床上进行了如下的改进措施： 首先，在机床运丝系统上增加电极丝导向器及电极丝恒张力装置，试验装置如图 1 所示，其目的在于 避免传统 HSWEDM 电极丝来回换向而产生的空间位置变化而导致的硅片切割表面机械条纹的出现，从而 影响硅片表面的总厚度变化(TTV)和弯曲程度(Warp) 。