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A.009
硅上化学镀镍磷合金电极的表面增强红外光谱研究
三盘壹,幕文斌‘
【寓旦^学化学《上_寄市分子催化和功麓材料重.^葺骚至上埠200433
E-mai#·vh叫·哪小n日幽埘)
镍磷合金在工业生产领域是一种重要的功能材科”’2】,被广泛应用于金属的表面保护以及用作磋
介质或阻挡层;负载型镰磷合金催化荆在某些加氢、析氢反应过程中也表现出很高的转化效率和稳
定性p】.这些糟理化学性质都是由镍磷台金独特的结构特一眭次定的.其中磷元素在所6的比倒发生
变化,将畚对台金的结构特性产生至关重要的影响.特别是随着磷含量的增加,台叠结构会发生由
晶寿到非晶恋的转变,其表面活性位雌及电子特性也会发生变化,这些改变对于腐蚀催化等表面
过程来说十分重要.在研究这些表面过程的各种方法中,电化学表面增强红补光谱有着其特有的优
势.
表面增强红外光谱(SETRAS),与衰减争反射结构(ATR】连用.具有最敬度高.表面选律简单.
且可避免珞荆信号干扰等优点。近十杂年以来该技术在基础理论和应用上都取得了长足的进步”I,
通过合适的翩膜技术获得了其它非币族金属表面的红外增强娥应吸收(SETRA)151,用以研究界面电
催化,生物分子吸脱附等.目前ATR—SEIRAS用电极还是局限于纯金属材料,对于镍磷这样的金属一
非金属组成的台金材科上的SEIRAS光谱尚未报导,圈此电无法获得各盈分和结构变化影啊其袁面吸
附与反应的信息.这样的研究不但对于探索镰磷音奇#捌的表面特性有着重要意义,而且也有利于
ATR-SETRAS技术拓展到其它合垒材料.
对于应用^TR—SE_IRAS技术来讲,首先需要在红外窗口0反射面上获得具有红外增强效应的备金
纳米薄膜.金属以及合金薄膜的获得主要有两种方浩:一是藏射盛蒸镀等方式的干珐沉积;另外就
是包括电镀与他学镀在内的坦法沉积.我们小组发展了一系刊的湿洼沉积技术,获得了币族.铂族
和镶蕨等道菠金属的具有sBfR^效应的纳米薄膜电撤睁”.湿涪沉积具有沉积速度快.成本低.结台
力好等特点,夏主要的是与干法沉积相比可以避免出现谱峰变形、倒转等情况.
本文采用含氟法对硅表面进行活他,进而采用化学镀的方法获得了不同碡含量的镶磷合金层。
将硅表面经蚀刻后浸入到台有钯高于的稀氧氟酸溶j直中,借助氧离亍与表面反应产生的还原物种生
长钯晶种,以此为化学镀的催化基底,以次亚磷酸盐为还原剂,通过控制镀液中络合剂柠檬酸三钠
的浓度比侧以及pH值等条件¨j,可方便地获得磷组分在2%一l3%.结抽由晶意由晶恋到非晶态转化的
低磷,高磷告金薄膜电极.田1为含氟法实现镍磷台叠化学锼的示意图
Pd(11)+Fff 化学镀液
fl!!!!!!!!!!≥-—《酝◇霉曼璺壹曼璺曼雹_墨霹匹==≥
清诰硅表而 钯律化基底
冒i硅表面台氟浩实瑰镶磷台盘他学镀的漉程图
F嘻1 aNi-P Si
Iheprotocolforf=brleatingalloyfilmd∞hodeon
将红外窗口接入ATR装置的电解池中.以不同磷含量的镍磷旮金作为工作电极,铂片为对电极,
饱和甘汞电极为参比电极.饱和磷酸盐缓冲溶液为支持电解质(州68).使用一氧化碳(CO),
毗啶(即)分子作为指针分子,并对上述电化学体系进行电位调制,在循环伏安测试的基础上,璃
定台适的电位区间,多步调拉电位下进行光谱采集,选用台适电位上采集的光谱作为参考谱,获得
了具有增强效应的红外吸收信号.对比不同磷含量镰礴台盎在电位变化过程中的红外信号变化的差
异,以此镍磷合金电极的表面特性,啦及其受组分变化的影响。
田2所示为硅上化学镀镶碡台金电极在co饱和的PBS缓冲踱中的表面增强虹外光谱匿,左图为
磷含量在3%左右的低磷台金(晶态),右图为磷含量在12%左右的高磷台金(非晶态),由各电位
4
下的样品谱与0 V下曲参考谮差减得到.田中2050
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