物理热蒸发法制备硅纳米线及硫化镉晶须的研究.pdfVIP

参考文献 【1】 冶金工业部合金钢钢种手册编写组，合金钢钢种手册，第一册，合金结构钢，北京：冶金工业出版 98 56—15 08—21 1 社，1 5，1 7，2 【2】 中国机械工程学会热处理专业学会热处理手册编委会，热处理手册，第2版，第4卷，北京：机 ‘ 9 0—46 08 02—5 械工业出版社，I 92，46 4，5 物理热蒸发法制备硅纳米线及硫化镉晶须的研究 严文 范新会 于灵敏 71 (西安工业学院 材料与化工学院，陕西 西安 00320) 【摘要】利用物理热蒸发法在不同的工艺条件比如环境压力，气体流量．沉积温度下制备硅纳米线及硅微米晶须， 并在此基础上添加外加电场制备硫化镉晶须及定向排列生长的硅纳米线。借助扫描屯子显微镜(SEM)，x射线能谱分析仪 的影响，分析外加电场对硫化镉晶须和硅纳米线定向排列生长的影响。研究结果表明：1)环境压力越低，硅纳米线及硅微米 晶须定向排列生长的取向性越好；2)气体流量适当增大，硅纳米线由弯曲变为直线生长，相互缠绕的现象不明显；5)沉积 温度不但影响硅纳米线的直径，而且对其生长过程也有影响。4)外加电场大大促进了硫化镉晶须和硅纳线沿一维方向上的生 长，这可以由带电团簇模型来解释。 【关键词】硅纳米线 硫化镉晶须 外加电场 环境压力 气体流量 前言 纳米线材料由于它们在磁性材料、电子材料、光学材料及功能复合材料【IJ等方面有广阔的应用前景，引起 了人们的广泛兴趣。一维实心纳米特别是硅纳米线在未来介观领域和未来电子器件中有着潜在的重要的应用前景， 它将应用于场发射电子源，扫描隧道电子显微镜的针尖，超大规模集成电路的连线，也可作为添加剂改善基体 的性能等等【2】。半导体发光材料由于在未来的电子、光电子器件、纳米光学器件的连接中和高强度复合材料上的 重要应用，以及有可能出现新的物理学效应而成为纳米材料科学和凝聚物理学领域研究的热点和前沿13】。硫化镉 属Ⅱ．V族化合物半导体材料，其禁带宽度为2．4ev，引起具有直接跃迁的能带结构等优点，在固体发光、激光红 外、压电效应…等器件方面都有广泛的应用。 纯铁片获得了非晶态硅纳米纤维阵列[61，张信义等利用三氧化二铝模板法结合化学气相沉积法成功制备出有序的硅 纳米线阵列【2】。但是在外加电场的条件下利用物理热蒸发制备规则排列生长的非晶硅纳米线阵列还未见过公开的文 献报道。 ． 同时，钱逸泰小组报道了用化学方法合成Cds纳米线或纳米棒，即水热合成法和聚合物控制生长法【9】。然而从用 上述方法制备的物理分离出纯净的Cds纳米线是很困难的，而且其产量也很低。 简单的一种方法。该法制备出的SiNWS产量大、纯度高、直径分布均匀，对环境无污染，具有重要的实用价 值。影响硅纳米线生长的工艺因素很多，比如环境压力、气体流量和沉积温度等，但是，这些工艺因素为什 么会影响硅纳米线的形貌，目前公开的文献报道很少。 本工作主要是运用物理热蒸发法制备硅纳米线，并此基础上添加外加电场制备硫化镉晶须和定向排列生长的 硅纳米线。借助扫描电子显微镜、x射线能谱分析仪和透射电子显微镜分别对硅纳米线的形貌、化学成分及晶 ．-54．- 体结构作分析．讨论环境压力、气俸流量法，沉积温度如何影响硅纳米线的形貌厦产生这些影响的塌i因，研竞 外加电场对硫化镉晶须殛硅纳米线生长的影响。 I实验过程 1．I管武炉的设计和制造 图I管式炉示意图 制备硅纳米战和硫化镉晶须的设备是一套水平管式电阻炉，如图1所示。将外径50ram，长I200mm的刚玉 管两瑚密封，用机械泵抽真空·剐玉管内可通惰性气体，