化学镀技术在超大规模集成电路互连线制造过程应用.pdfVIP

第12卷第2期 电化学 V01．12No．2 EUEC’rROCHEMISTRY 2006 2006年5月 May 化学镀技术在超大规模集成电路 互连线制造过程的应用 王增林“，刘志鹃1，姜洪艳1，王秀文1，新宫原正三2 (1．陕西师范大学化学与材料科学学院，陕西西安，710062； 2．关西大学工学部机械工学科，日本大阪，5648680) 摘要： 总结自大马士革铜工艺建立以来，电化学工作者利用化学镀技术围绕该工艺而开展的一系列相关 Clus． 研究，介绍了应用化学镀沉积镍三元合金防扩散层和化学镀铜种子层的研究以及离子束沉积法(Ionized ter Beam，ICB)形成Pd催化层后的化学镀铜技术和超级化学镀铜方法．简要叙述化学镀铜技术在超大规模集 成电路中的应用，总结化学镀铜技术的研究进展，并指出了今后的发展方向． 关键词： 化学镀铜；超级化学镀；大马士革铜互连线；种子层；防扩散层 中图分类号：TQl53．1+4 文献标识码：A 随着全球竞争压力的不断增加和信息产业的 好的抗电子迁移性能，有利于提高芯片的可靠性． 发展，对大存储量、小体积、轻量化的半导体集成电 因此，1995年IBM率先提出用铜线代替铝线作为 路(半导体芯片)的要求也不断提高，从而作为微 半导体集成电路的互连线方案，并于1998年推出 系统核心部件的存储密度也在不断增加，用于连接 第一个用铜互连线制作的新一代半导体芯片u引． 每一个信息点的互连线宽度也越来越小．当芯片中 1大马士革铜互连线工艺 互连线的宽度在0．13p,m以下时，RC延迟(R为 图1表示了大马士革铜互连线工艺过程，主要 芯片中用于连接各个功能点的互连线的电阻，C为 由4步组成．首先，在二氧化硅的基材上，通过涂布 基板的电容)成为影响半导体芯片速率的主要因 光敏的有机高分子层(Mask)和光腐蚀形成道沟 素．为了解决RC信号延迟，人们采取3种方法： (1)改进和完善集成电路设计方案，尽量减少连接 和道沟的表面形成防扩散层和种子层(b)．．由于铜 导线的长度，从而降低导线电阻；(2)使用低电阻 的自由电子在加热的情况下易于向二氧化硅／硅基 率(占)的基材，即Low—K材料以降低基材的电容． 关于Low—K材料的研究，是近年来半导体材料的材扩散，从而影响半导体的特性．为了阻止铜的自 由电子向二氧化硅／硅扩散，需要在金属铜膜和二 一个热点领域，每年相关的国际会议，如Interna— tionalElectronDevices In— 氧化硅膜之间加上一层防扩散层，如TaN、TiN、WN Meeting(IEDM)，IEEE 等[3。51．由于TaN防扩散层电阻率比较大，不能直 temationalInterconnect Conference Technology StateDevicesand 接实现均