化学机械抛光过程抛光液作用研究进展.pdfVIP

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2012年2月第l期 金刚石与磨料磨具工程 Feb.2012 Serial.187 第32卷总第187期 Di删ond&Ab瑚菌ves No.1V01.32 En百neering 化学机械抛光过程抛光液作用的研究进展+ 邹微波,魏昕, 杨向东,谢小柱, 方照蕊 (广东工业大学机电工程学院,广州5lo006) 摘要化学机械抛光(cMP)已成为公认的纳米级全局平坦化精密超精密加工技术。抛光液在cMP过程 中发挥着重要作用。介绍了cMP过程中抛光液的作用的研究进展,综合归纳了抛光液中各组分的作用, 为抛光液的研制和优化原则的制定提供了参考依据。 关键词 化学机械抛光(CMP);抛光液;材料去除率;表面质量 中图分类号TG73 文献标志码A文章编号:1006—852x(2012)01—0053一04 Research oftheeffectsof onchemical deVelopment polishingslurry mechaIIical polisllingprocess Zha0-rui ZOU FANG Wei-b0,WEI×in,YANG ×IE×jaO-zhu, Xiang-dOng, 5 (F锄u缈∥Ez8ctromech黜缸nZ啦i,聊打昭,G∞,咖愕‰如挪毋旷死曲加研,GMn,lg娩oH10006,傩i船) AbstractChemicalmechanical hasbeen asanano—scale polishing(CMP)generallyacknowledged inthe an role globalplanarizationultIaprecisionmachiningtechnology.PolishingsluITyplaysimPortant chemicalmechanical Theauthorsintroducetheresearch oftheeffectsof polishing. devel叩ment onCIUP summarizeand theactionsof polishingslurry processes, analyze polishingslurryingredients. ThisintroductionandsummarizatjonwiU a referenceforthe and proVide deVelopmentoptimization

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