CeO2掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究.pdfVIP

CeO2掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究.pdf

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严群等:Ce02掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究 Ce02掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究半 严 群1,冯庆芬1,黄庆2,苏华3,谢显蛟3,涂铭旌1 3.成都科力铁硬质合金有限公司,四川成都618306) 摘要:采用添加微量Ce02的方法,提高氧化锌压敏锌避雷器的发展。然而氧化锌压敏阀片的几个性能指标 阀片的电位梯度,使之具有优良的综合性能.同时研究 又是此消彼长、相互矛盾的。本文采用添加微量Ce02 了微量Ce02添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯的方法,力求在不降低其通流能力及保持较低漏电流的 度的影响,并通过sEM测试手段对其微观组织结构进 前提下,提高氧化锌压敏阀片的电位梯度,使之具有优 行了分析研究,从理论上探讨了一Ce02影响氧化锌压敏 良的综合性能,减小体积,降低成本。 阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明,在0一 2实验 O.06%(摩尔分数)成分范围内,随着ce02含量的增加, 氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高;当Ce02含2.1样品制备 量超过0.06%(摩尔分数)时,随其含量的增加,氧化 锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势.其原因是 原料按常用微米级ZnO压敏阀片配方的比例称量,分 Ce02加入到氧化锌压敏阀片中,以原相形式独立存在 的ce02相钉扎在晶界,阻碍晶界运动,抑制了znO晶 分数),具体配方见表l。将上述原料混合后,经干磨、 粒的生长:另一方面,Ce02添加剂在陶瓷烧结过程中 使znO晶体的自由电子浓度增大,填隙锌离子zIli的总 浓度下降,因而填隙锌离子的传质能力下降,抑制了 极。 zDO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随Ce02的添加而下降, 表1试样的配方 压敏电位梯度显著提高. 关键词: 氧化锌压敏阀片;Ce02;压敏电位梯度;显 成分(mol%) 试样编号 微组织 ZnO Ce02Bi203Sb203Cr203C0203Mn02 中图分类号:.IM283 文献标识码:A 00l 0 O.7 1.O 0.5 0.8 0.5 余量 002 O.02 0.7 1.0 0.5 0.8 0.5 余量 文章编号: 1001.9731(2007)增刊.0567—03 003 0.04 O.7 1.O 0.5 0.8 O.5 余量 004 0.06 O.7 1.O 0.5 O.8 O.5 余量 1 引 言 005 O.08 0.7 1.O 0.5 0.8 O.5 余量 006 0.1 0.7 1.0 O.5 O.8 0.5 余量 氧化锌压敏瓷具有优异的伏.安特性,广泛用于制 2.2性能及组织结构的测试 造避雷器阀片。氧化锌压敏阀片优异的电性能是以各种 用MY乙3型压敏电阻全自动测试仪测量各试样的 添加剂的综合作用为基础的,它是典型的由晶粒大小、 压敏电位梯度UlmA,将测得的电性能参数进行对比分 晶界结构控制宏观性能的材料。为了能满足各种

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