GaN模板上MOCVD生长InxAl1-xN的缺陷研究.pdfVIP

第}七届全国擘导体物理学术会议论丈集 中国·长春2009年8月16U一20Li 茁振林，沈波’，f彤军，许福军，来杰，鲁蜂，杨志坚 北京大学物理学院人丁微结构和介观物理国家重点实验室，北京10087 引言： 7 ev)的范围，使其在光 In。A11．IN二元合金的禁带宽度跨越红外(Oev)到踩紫外(6．2 匹配，并且由于大的白发极化差和导带不连续产生20×10…cln浓度的二维电子气．在大功 率微波电予器件r也正引起人们的重视。材料的微结构缺陷对器件的性能有重要的影响，但 是现在对In；AIhN缺陷的研究还很少。本文研究了与GaN匹配附近的In；AIhN材料巾的缺 陷，并讨论了应力对缺陷形成的影响。 1．实验 hAll．H足用 ThomasSwan3×2 CCS．MOCVD采 统在GaN模板上 牛眭的，厚度约 O2um，村底是 }A1203，1MA】 和TMIn．勾III族源．NHj为v族源，N2作为载气。其他生长条件小；斐．通过改变生长温度从 153，0 173和0．23I的In。AIhN。Ⅲ扫描电惋和原子力 765℃到810C得到In组分分别为0 显微镜规察了In；AIl“的表血形貌，用透射电镜观察了剖面样品中In，AlhN的位错和V型 缺陷。 2实验结果和讨论 扫描电镜和原子力显微镜的观察显示，在二个样品表面都有v型坑。样品a(x=0J53)冉裂纹 出现，样品a和b(x卸】73)t9农lh】比较光滑，3×30m2原于力最徼镜的方均根轴糙度(RMS) 7 0 nmo之后用 分别为0．6am和Onm。但样品c(x231)的表tlI嗍显变差，RMs增加到约5,4 a型走配位错，这足由于InOl53AIouTN释放了部分张应力的结果。纯刃型的穿通位错穿过 q1形成了V型坑·在 827N ImmAInH州，终Jr在表酊。但是含蝶位错分量的位错在Imi73AIo 近匹配的样品b—n穿通位错的行为与样品a相似．但没有先配位错产牛。在样品c中， 1札2㈣AI删N受到压应力，与样品a不同，界面没有观察到失配位错。但部分V型坑的周围t 品格发生了太的畸变，使其丧丽形貌显著变差。 3结论 在MOCVD生长的不同应娈状态的In。AInN材料一{，都发现了起源于具有螵位错分量的穿通 位错的v型缺陷。并发现不同应变状态对表而形貌和微结构有显著的影响。在张应变情况通 过产生裂纹以及在界面处产生必配位错释放应力，裂纹之外的区域仍处于完全戍变状态，表 面形貌很好。近无碰变张应变时，In。AI．。N／GaN界面没有歃陷产生，并且具有良好要的表面 形貌。压应变下，在部分v型坑的周围通过品格弛豫释放应山，形成人的弹坑状缺陷，表师 形貌明显变差。