SiO2%2fSiC界面的Wet-ROA研究.pdfVIP

第ltmj令【qt*件物w中术会“l￡Z讹 中国·长春2009年8月16日一20日 Si02／SiC界面的wet．ROA研究 朱巧智’，王德君．张立平 大连理工大学电子与信息工程学院辽宁大连116024 cⅡ Emil：dwangl21@dltlLedu 引言： 宽带隙半导体材料碳化硅(SIC)具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度、 tT通过热氧化法生长Si02膜等优点q在电力、电动、通讯、航天和军事系统中具有广阔应 MOSFET沟道迁移率低，严重影响其 川前景。但高的SiO弗iC界面态密度使实际制作的SiC A等人采用湿氧二次氧化工艺(wet-ROA)进行处 竹能。为改善Si02／SiC界面特性。Ekouc 州，if：取得定效果【”】，但weI-ROA工艺改善Si02／SiC界面电学特性的微观机理尚未完全 晰．打}#进步研究。 l买驻 测得样品A、B的氧化膜厚分别为5．6rtm和77rim，因界面过渡区厚度不超过IntoH，所以为 5rim． 保证XPS测试准确性，本实验将通过控制HF的刻蚀时问控制样品氧化膜厚度为lnm-l 中心值约为l3rim。对样品A、B分别进行ADXPS测试，获樽相应的s12p光电子谱。测试 角度分剐为15。、30。、45。、600和750。 为明确wet-ROA工艺对SiCMOS电容电学特性和界面态密度的影响，采用与样品A、B MOS电容，进行高频C．V特性测试，计算界面态密 相同的衬底处理工艺制备出相应的SiC 度。 2结果与讨论 21 wet-ROA对界面缺陷含量的影响 A 根据本研究组咀往研究结果，Si02／SiC界面同 存在Si“、sl”、Si”三种低值氧化物成分。将样品 A、B在测试角为45。时的s‰谱进行谱峰拟合， 邀 拟合结果如图1所示。出改国可以看出，经 wet．ROA工艺处理的样品，界面过渡区低值氧化 物罔】样品A、B扯450角时的Sih诗拟台结粜 成分含量明显降低。 2．2wet．ROA对界面过渡区厚度的影响 为精确计算过渡区氧化膜厚度’i文秒’j叩在文献[5l甲提出蚴程 刮wl南H： 第卜t届全国半导体物理学术会议论文集 中国·长眷2009年8月16日．20日 将五个测试角对应的数据代AJ：式，可求得氧化膜约化厚度d，知，进而求得样品A、B 总氧化膜厚度分94为091ara和1．50nm，对应的过渡区厚度分别为O84nm和062nm，由此发 现wet_ROA工艺使过渡区厚度减小了0．22ran。 2．3wet．ROA对MOS电容电学特性的影响 采用与样品A、B相同的衬底处理T艺制各 出的MOS电容的C-V特性如图2n)所示。依次 计算得出的SiOz／SiC界面态密度分布如图2(b) 迅 移 所示。由该图可以看出wet—ROA工艺明显降低 了Si02／SiC界而态密度。 圈2wet．ROA埘SiCMOS电容IU学特性的影响 nK．v特性对比Co)界面态密度分布对比 2．4wet-ROA改善Si02／SiC界面特性的微观机理 由2I一2 3节分析可知，wet-ROA工艺可明显降低SiO／SiC界面过渡区低值氧化糊成分 含量，减小过渡区厚度，降低Si02／SiC界面态密度。究其原因，可解释为wet．R