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第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集 适用于大面积太阳电池的纳米线 阵列组装方法的研究 华 夏，林星星，刘文富，黄增光，沈文忠 （上海交通大学太阳能研究所） 摘 要 ：半导体纳米线因其具有独特的光学性质，在发展新一代低耗高效太阳电池上 极具潜力。本文从研究单根纳米线的吸收增强开始，阐明了漏模共振（LMRs ）与Fano 效应大幅高吸收的机理。在此基础上，单根纳米线可以进一步扩展为纳米线阵列用于 太阳电池。本文出了纳米线水平和竖直于衬底的两种纳米线阵列组装方法，均适用于 大面积生产。水平于衬底组装的半核壳纳米线阵列能很好的保有单根纳米线的光吸收性 质，达到减少 50% 的吸收材料的效果。竖直于衬底组装的纳米线阵列通过优秀的 2 SiO /SiN 钝化在 125×125 mm 大面积上获得了 17.11%的效率。 2 x 关键词 ：纳米线阵列；光伏器件；组装方法；大面积生产；高效太阳电池 1 引言 行纳米线阵列。这种组装方法能够最大程 近年来随着纳米技术的飞速发展，人 度的保有单根纳米线的光学吸收性质，有 们开始关注到纳米线结构在研究新一代 很高的光吸收响应，但是往往涉及比较复 高效低耗太阳电池上有很大的应用前景。 杂的合成制备方法，因而仍然处于实验室 单根纳米线在光吸收上由于其亚波长结 阶段，无法在大面积上进行推广。另一种 构的特点而拥有非常独特的光共振性质， 方法是把单根纳米线竖直于衬底，形成入 因此具有很强的光吸收，和相当高的短路 射光沿着轴向方向的纳米线阵列。这种组 电流密度。单根纳米线结构的太阳电池已 装方法可以用化学法等较为简单的生长 经成功的应用于纳米级别器件的供能元 方式来进行调控和制备。但是由于这种方 件上，显示了其在光伏领域的发展潜力。 法生长的阵列结构拥有很大的表面复合 在这种单根纳米线结构的基础上，为了能 和体缺陷，因此在电学上始终不理想，无 够应用于一般的太阳电池，人们需要把单 法在大面积上实现高效率太阳电池。 根的纳米线组装和扩展成为周期性阵列， 针对上述纳米线在太阳电池应用中 并且保持单根纳米线的强光学吸收特性。 遇到的问题，本文首先从研究单根纳米线 目前主要有两种单根纳米线组装成阵列 光吸收性质开始，阐述 LMRs 与 Fano 效 的思路。其一是把单根纳米线水平放置于 应大幅高光吸收的机理。在此基础上， 衬底上，形成入射光垂直于轴向方向的平 对于水平放置于衬底上的纳米线阵列，本 388 第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集 文出了一种新的半核壳纳米线阵列结 构，可以用较为常规的生产方法制备并适 用于大面积太阳电池，达到减少 50%的吸 收材料的效果。对于竖直放置于衬底上的 纳米线阵列，本文致力于通过钝化解决该 结构中表面复合和体复合的问题，并在 2 125×125 mm 大面积上实现了 17.11%的 高效率。 2 单根纳米线的吸收性质 首先，我们从研究单根介质壳的同轴 (a) 在SiO ，Si N ，Ta O 和No Shell情况下，αabs 2 3 4 2 5 硅 纳米线的光吸收开始，来理解纳米线