射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料研究.pdfVIP

2011年北京真空学会真空学术交流会论文集 射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料研究· 胡健楠 郝智彪’ 任凡 张辰 罗毅 清华信息科学与技术国家实验室(筹)／集成光电子学国家重点实验室 清华大学电子工程系，北京 100084 摘要：本文采用射频分子束外延(RF-MBE)方法生长了氮化铝薄膜，并定量表征了其缺陷情况。结 果表明，保持富Al条件，并通过适当提高生长温度来促进材料结晶，有利于抑制刃型位错的产生，但会 引入更多的氧杂质。在富Al条件下进行二维生长可同时增强A1和N原子的迁移，使螺型位错减少，并 消除铝空位。但是，氮空位却是难以通过改变外延条件来彻底消除的。 关键词分子束外延氮化铝位错密度 点缺陷阴极荧光 P^CC：6855．61l叫，7155 l 引 言 近年来，III族氮化物半导体材料以其独特的 对其进行宏观的表征，为提高材料整体性能提供有 材料特性而倍受关注¨一1。氮化铝(A1N)作为其中禁力依据。 带宽度最大且热稳定性最高的材料，在深紫外光电 为了从宏观上对穿透位错进行表征。人们可采 子器件¨1和大功率电子器件领域具有极大的应用潜 用X射线衍射(XRD)技术。而相比之下，点缺陷的 力。 因此，高质量的AIN材料外延技术具有非常 宏观表征却缺乏成熟的技术手段，加大了研究难 重要的研究价值。 与金属有机化合物气相外延 度。尽管如此，仍可从材料的荧光谱中得到与点 (MOVPE)技术相比，射频分子束外延(RF-MBE)技术缺陷相关的荧光信息，并以此作为分析的依据。针 可以避免高温生长造成的热失配较大、氨气和三甲 对A1N材料，近年来，国际科研机构通过阴极荧光 基铝的预反应严重等诸多问题，有利于获得高质量 A1N外延薄膜。 推断了RF—MBE生长的A1N材料缺陷发光带的来源 基于蓝宝石和硅等异质衬底分子束外延生长 的A1N薄膜中，存在着失配应变弛豫后产生的穿透 缺陷受MOCVD生长条件的影响…。而本文则通过选 位错，衬底原子扩散引入的杂质，以及材料本征缺 择合适的电子束能量，激发出外延衬底的荧光，并 陷等品体缺陷。这些晶体缺陷对外延层的电学和光 以此作为参照，定量比较了不同样品点缺陷的荧光 学等宏观特性有很人的影响¨。5l，因此，非常有必要 峰，并分析指认了荧光的来源。 2 实验 本文利用射频分子束外延设备(RF—MBE)，研究A1N成核层：然后在不同的生长温度(兀)外延生K1 (0001)蓝宝石衬底A1N材料的外延生长。衬底在“m厚的AIN薄膜，生长过程中氮源流龄为2．5sccm。 准备室中经低温除气后，送入生长室进行高温除 气。 除气完成后，在780。C进行10min氮化处理。 卜．分别生K=了四个样品A、B、C和D。生长过程中， 25nm 外延过程采用两步生长法：首先在760C生K 通过反射式高能电子衍射系统(RHEED)对外延表面 201 1年北京真空学会真空学术交流会论文集 实时监控，并利用反射率测量仪原位测量外延片反 量，表征外延层中的螺型位错和刃型位错等线缺 射率，以推算生长速率。生长完成后，利用原子力 陷，利用X射线光电子能谱(XPS)技术分析A1／N 显微镜(AFM)和光学显微镜分析外延表面形貌，通原子浓度比，并利用室温CL谱分析杂质和空位等 点缺陷。 12)非对称面的XRD测 过进行(0002)对称面和(10 3结果与讨论 样品D表面存在较大的岛状突起，RMS粗糙度高达 在生长过程中观察A1N【11201方向的RHEED 17．56 图样，样品A、B和C的图样均呈线条状。并存在 ri