霍尔效应及其应用-河北科技师范学院-物理实验中心》》首页.docVIP

霍尔效应实验和霍尔法测量磁场 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。 随着半导体材料和制造工艺的发展，人们利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来，霍尔效应实验不断有新发现。1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。 在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。 一、实验目的 1、掌握霍尔效应原理，理解霍尔元件有关参数的含义和作用 2、测定霍尔元件的VH—Is，VH—IM曲线，了解霍尔电势差VH与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B及励磁电流IM之间的关系。 3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 5、确定试样的导电类型、载流子浓度及迁移率。 二、实验仪器 霍尔效应实验仪 霍尔效应测量仪 三、实验原理 如图2-1所示，磁场B位于Z的正向，与之 垂直的半导体薄片（霍尔元件）上沿X正向通以电流Is（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。 由于洛仑兹力f L作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 f E的作用。随着电荷积累的增加，f E增大，当两力大小相等（方向相反）时， f L=－f E，则电子积累便达到动态平衡。这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势差称为霍尔电势VH。 设电子按均一速度，向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛仑兹力为： f L=－eB 式中：e 为电子电量，为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。 同时，电场作用于电子的力为： f El 式中：EH为霍尔电场强度，VH为霍尔电势，l为霍尔元件宽度 当达到动态平衡时: f L=－f E B=VH/l （1） 设霍尔元件宽度为，厚度为d ，载流子浓度为 n ，则霍尔元件的工作电流为 （2） 由(1)、(2)两式可得： （3） 即霍尔电压VH　(A、B间电压)与Is、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数 称为霍尔系数。 根据材料的电导率的关系，还可以得到： 或 （4） 式中：为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用N型半导体材料。 当霍尔元件的材料和厚度确定时， 设： （5） 将式（5）代入式（3）中得： （6） 式中：称为元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是， 图2-2 一般要求愈大愈好。霍尔元件测量磁场的基本电路（如图2-2），将霍尔元件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直，在其控制端输入恒定的工作电流Is，霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表，测量霍尔电势VH的值。 本实验采用的霍尔元件的宽度b=4.0mm，厚度d=0.5mm，AC间距l=3.0mm。 实验系统误差及其消除 测量霍尔电势VH时，不可避免的会产生一些副效应，由此而产生的附加电势叠加在霍尔电势上，形成测量系统误差，这些副效应有： （1）不等位电势V0 由于制作时，两个霍尔电势不可能绝对对称的焊在霍尔片两侧（图2-3a）、霍尔片电阻率不均匀、控制电流极的端面接触不良（图2-3b）都可能造成A、B两极不处在同一等位面上，此时虽未加磁场，但A、B间存在电势差V0，此称不等位电势，V0＝IsR0，R0是两等位面间的电阻，由此可见，在R0确定的情况下，V0与Is的大小成正比，且其正负随Is的方向而改变。 图2-3a 图2-3b （2）爱廷豪森效应 当元件X方向通以工作电流Is，Z方向加磁场B时，由于霍尔片内的载流子速度服从统计