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相变量子点存储材料与器件研究开发 可行性研究报告 一、立项的背景和意义 随着近年来消费型电子市场的快速发展，作为半导体和信息产业重要组成部分的存储器的市场越来越大。目前市场上主流的存储和等功耗循环寿命这些技术包括纳米、。。纳米MOSFET栅介质中的纳米1”或“0”两种存储状态。在MOSFET沟道和纳米晶粒之间的超薄氧化层（小于3 nm）作为隧穿氧化层，在栅电极和纳米晶粒之间一层较厚的氧化层（大于5 nm）作为控制氧化层，通过在栅极上加正负偏压使反型层沟道中的电子或空穴隧穿超薄氧化层进出纳米晶。利用纳米晶的库仑阻塞效应控制注入其中的电子数目。 相变存储器是利用材料所具有的非晶态与晶态相变特性实现信息存储的一种新型存储器技术，具有高速度、低功耗、循环寿命长、单元尺寸小、与CMOS工艺兼容等优点，受到产业界的重视。2006年12月，IBM公司公布了基于相变材料纳米线的存储结构，其有效相变区域减小至20nm2。2008年12月，三星从实验上证明了相变存储器7.5nm工艺节点仍然具有非常优良的存储性能。2008年2月，英特尔与意法半导体宣布开始向客户提供采用创新相变存储器相变存储器相变存储器相变存储器, 近年来关于相变材料的机理、结构模型等基础理论方面也有越来越多的研究。 本项目在已有的关于纳米纳米S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, et al., Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996) (2) Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro, and T. Hiramoto, J. Appl. Phys. 84, 2358 (1998) (3) M. Saitoh, T. Saito, T. Inukai, and T. Hiramoto, Appl. Phys. Lett. 79, 2025 (2001) (4) S. Y. Huang, S. Banerjee, R. T. Tung, and S. Oda, J. Appl. Phys. 93, 576 (2003) (5) C. H. Cho, B. H. Kim, T. W. Kim, and G.. Y. Sung, Appl. Phys. Lett. 86, 143107 (2005) (6) L. C. Wu, K. J. Chen, Z. T. Song et al., Appl. Phys. Lett. 89, 112118 (2006) (7) Liangcai Wu, Zhitang Song, Feng Rao, Yuefeng Gong, and Songlin Feng, Appl. Phys. Lett., 94, 243115 (2009) (8)Henan Ni, Liangcai Wu, Chun Hui, and Zhitang Song, Journal of Semiconductors, 30, 114003 (2009) (9) Liangcai Wu, Xilin Zhou, Henan Ni, et al. Physics Status Solidi C, 7,1207 (2010) (10)Ni HN, Wu LC, Song ZT, and Hui C, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS,?12,1306（2010） P. Mao, Z. Zhang, L. Pan, J. Xu, and P. Chen, Appl. Phys. Lett. 93, 242102 (2008) (12) Y. Pei, C. Yin, M. Nishijima, T. Kojima, Appl. Phys. Lett. 94, 063108 (2009) 二、国内外研究现状和发展趋势 如前所述，存储器是半导体信息产业的重要组成部分，存储器市场前景巨大，具有断电保持特性的非挥发存储器是半导体存储器件未来发展的重要方向。随着集成电路技术节点的不断向前推进，对低功耗非挥发存储技术的研究主要有两大领域：一是延伸现有和CMOS完全兼容的主流Flash技术，引入新型结构以及工作机制的存储器件单元和阵列架构，例如电荷俘获性存储器(CTM)，降低其操作电压和功耗；另一个是在Flash 技术达到其物理极限而无法继续推进后，采用完全不同的新技术和新的存储原理来实现超低功耗的应用，其中以相变存储、纳米晶浮栅存储和阻变存储等技术为代表。 在纳米晶存储方面，国际上主要的研究机构有IBM、Hitachi等公司，以及Princeton大学东京工业大学、等纳米研究工作。南京大学研究组开展了方面的研究并已取得创新性的研究成