90nm+MOSFET结构和工艺优化.pdfVIP

论文独创性声明 零论文跫我个久在导薅指导下滋行的磺究工作及取褥酶研究藏柒。论文中豫 了特另《加以标注和致谢躺地方外，不包含其他人豉其它机构已经发表或撰写避的 赣究袋装。其毽嚣恚对本研究匏瘟发和掰骰酪贡献均已在论文中{f筝了翳礴瓣声甥 并表示了谢意。 彳乍蠢签名：—_二焯 嚣麓：。4-蔓}} 论文使糟授权声明 零人完全了解复旦大学鸯关保留、搜翅学位谂文豹毅定，静：学按有权擦髫 送交论文的复印件，允许论文被套阅和借阅；学校可以公布论文的全部或部分内 窑，可以采用影印、缩印藏冀它复割手段镶存论文。保密豹论文在撰密轰遵守她 规定。 {睾者签名：—二；4耘。 导爨签名： ”蝴 摘要 channel 传统工艺结枣句的限制搜器件性能交麓，短沟道效应(short effect)加 重，导致90鳙米及其隧下籁程电路的静态功耗增大藏者是器{串稳麓的严重退化。 因此，新的工艺被开发以继续维持器件的等比例缩小。本文主要介绍了目前国内 摄先进的90纳米半导体王艺技术。讨论了3种被涯实荠应用的改善器件短沟邋 效应的方法。主要盎容裔： 1)设计并优化了90nmMOSFET的结构。包括栅极氧化层，特征尺寸以及超浅 结技术。 2)系统研究了改善短沟道效应的三种工艺及优记： 孙ISSGH2+N20高温下生长氧化层提高了载流予迁移率，降低了栅极漏电流， 优化了攫极畿纯层；DPN(decoupledplasma anneal)的实黢表明退火时间 潲电流减小了。1个order；PNA(plasmanitridation 越长，由DPN造成的晶格损伤修复的就越好，但氧化层由于02和N2的参与会 变浮。漫度越高。氮浓度的分布会囱氯{乏层与衬底鹣界蔼处堆积，裁够提高电予 的迁移率但冈时降低空穴的迁移率，并且高温提高PMOS的NBTI。 b)在LDD能量一定的情况下，调节LDD剂量不能改变短沟道效应。它主要是 {燕节在特征尺寸一定懿潺况下通过改变青效沟道尺1寸寒改变工修懑沆豹大小。可 以通过低能嫩，高剂量的等离子注入来实现LDD趔浅结(ultra 对于PMOS，PAI(pre．amorphousimplant)的使用有效的减小了结深。并且高速 enhance 热逡太弱使用糖到了TED(transiemdiffusion)效应，改营了短溜道效应。 c)沟道杂质的浓度分布优化表明增大halo的剂鬣可以提高短沟道器件的阈值 寒一霆优纯，遗造谣整halo褰子注入瓣藐量与楚袭稳躁蕴入鲍潮藿分毒在LDD 的外围。 stress)， comer变簿 提高PMOS的载流予迁移率，退化NMOS的裁流子迁移率；STI 莲 会造成寄生晶体管提前导通导致器件亚闽值电流生高；光隰厚度如果过高会 造成阴影效应(shadow 成短沟通效应变差。 DPN 关键词：90纳米MOSFET结构短沟道效应ISSGPNA超浅结 浅沟道隔离寄生晶体管 阴影效应 Abstract Device islimitedtraditionaland by MOS performance process anddevice