半导体中杂质能级和缺陷能级.pdfVIP

第二章半导体中的杂质和缺陷能级 n 和锗中的杂质能级 1. 施主杂质和施主能级 2. 受主杂质和受主能级 n 类氢模型 n 杂质补偿 n 深能级 n Ⅲ Ⅴ族化合物半导体中的杂质 n 缺陷与缺陷能级 1 杂质能级 在实际的半导体材料中，总是不可避免地存 在有杂质和各种类型的缺陷。特别是在半导 体的研究和应用中，常常有意识的加入适当 的杂质。这些杂质产生的附加势场，改变了 晶格原有的周期性势场。有可能使电子或空 穴束缚在杂质的周围，产生局域化的电子 态，从而在禁带中引入相应的杂质能级。 2 替位式杂质、间隙式杂质 金刚石结构填充率： 4 2 8 p r 3 3p 0.34 34% a3 16 n 替位式杂质：杂质原子取代晶格原 子； n 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子 的间隙位置； 3 施 杂质和施 能级 E c E D E D E g E v n 磷原子这种能够向导带提供电子的杂质称为施主杂质（n型 杂质）。 n 被施 杂质束缚的电子能量状态称为施主能级。 n 施 杂质释放电子的过程称为施主电离； n 杂质能级上的电子挣脱杂质原子束缚所需要的最小能量成为 E E E E 电离能，用 表示。 D D C D 4 受 杂质和受 能级 E c E g