1.3μmGaInNAs%2fGaAs+VCSEL研究.pdfVIP

2004÷8月，湛 照第“Ⅻ_仝目目％^薯m∞^日U 1．3umGaInNAs／GaAs VCSEL研究 沈坤岳爱文王任凡 (武汉电信器件公司芯片部430074) umGalnNAs／GaAs 摘要：本文通过对1．3 VCSEL结构优化，采用直接接触结构研制出了特性得到改 善的1．3uinGalnNAs／GaAs Q， 6mA下的边模抑制比为4ldB。 关键词：GalnNAs，长波均垂直腔面发射激光器 ～弋 1．引言 随着人们对带宽需求的不断增加．光网络已逐渐应用于企业网和接入网。为了使光网络能更加 广泛地应用于中短程的光通信，要求光电子器件具有低成本、高速率和低功耗等特点。通常的边发 射半导体激光器由于具有测试成