4H-SiC+MESFET工艺中的金属掩膜研究论文.pdfVIP

第十i届全目化音物半导体．微波器’神光电器件掌术{t-C3t． 广州’08 TUE．GeSiC．B04 4H-Si CMESFET工艺中的金属掩膜研究 陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松 (南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家级重点实验室，210016) 摘要：在4H—sicMESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺，而对SiC外延片的RIE、ICP等T法刻蚀 来说。有光刻胶、Ni、A1和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形』J殳的台阶角度缓不垂直，而Ni、Al等金属 掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。本论文通过对Ni、AI、镍硅化物等多种金属掩膜的研究，得到了十法刻蚀台阶垂直 且表面状况良好的Ni金属掩膜条件，最终成功制备出9mm的SiCMESFET微波功率器件，在2GHz脉冲输出功率超过38W． 功率增益9dB。 关键词：4H碳化硅；会属掩膜；MESFET 中陶分类号：1w305．7：TN386．3文献标识码： 文章编号：