MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究论文.pdfVIP

第十五詹全田化古物半导体，馓渡量}件和光电舅l件掌术。套议 广州’08 WED．．ZnO．．D07 MOCVD氧化锌缓冲层生长与退火研究 朱光耀，顾书林，朱顺明 (南京大学物理系和南京微结构国家重点实验室．南京210093) 摘要：采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层，利用x射线衍射和原了力显微镜技术研究了牛长温度和退火温度对 缓冲层质量和表面形貌的影响。结果表明：低温生长时，生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力，降低表面粗糙度。 从三维岛状生长模式转变为准二维层状生长模式；研究发现商温退火时氧气气氛下900C是较合适的退火温度，可以最大限度的 激活原子使之移动到合适的晶格位置。有利于晶体择优取向生长，而更高的温度将导致ZnO的分解，从而丈人降低晶体质量。 关键词：ZnO，MOCVD，缓冲层。表面形貌，晶体质量 中图分类号；0484．1 文献标识码： A of