Ni%2fPt硅化物温度稳定性的研究.pdfVIP

Ni／Pt硅化物温度稳定性的研究 黄伟 张利春 高玉芝 金海岩 卢建政 张广勤 (北京大学微电子研究院北京 100871) 摘要：本文对比研究了夹层结构Ni／Pt／Ni分别与掺杂P型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化 物薄膜的电学特性．实验结果表州：在600℃～800℃范围内，掺Pt的NiSi薄膜电5且牢低且均匀．比具有 低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100℃～150℃．并且依据吉布斯自由能理论，对在Ni(Pt)si薄膜中 掺有2％和4％的n样品进行了分析．结果表明：掺少量的Pl可以推迟NiSi向NiSi2的转化温度，提高了镍 硅化物的热稳定性．最后，制作了I—v特性良好的Ni(POSi／Si肖特基势垒二极管，更进一步地证明了掺少 量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性． 前言 硅化物具有能承受高温热处理、能选择腐蚀、薄膜电阻率低等特点，因此在超大规模集成电路 米浅结工艺中钴消耗si原子较多。镍硅化物具备无线宽效应、无桥连现象、薄层电阻小、低温退火 严重退化。因此如何提高NiSi的稳定性是目前急需解决的课