半导体单量子点增益与吸收特性研究.pdfVIP

维普资讯 第 25卷 第 3期 量 子 电 子 学 报 、 1．25 NO．3 2008年 5月 CHINESEJOURNALOFQUANTUM ELECTRONICS Mav2008 文章编号： 1007—5461(2008)03—0276—06 半导体单量子点增益与吸收特性的研究 赵顺才， 刘正东， 廖庆洪 (南昌大学近代物理研究所，纳米技术工程研究中心， 江西 南昌 330047) 摘 要 ：采用密度矩阵的方法进行数值模拟计算紧束缚态的半导体单量子点的增益与吸收行为。其动力学数 值结果显示，在某些不同时刻的增益谷和吸收峰的左右分布保持不变对称性，且有上下镜像反转的现象发生； 在在长时间演化中发现该量子点系统的增益与吸收发生激烈的振荡而呈现出了量子光学中典型的崩塌与复苏的 有趣物理现象。 关键词 ：量子光学；半导体量子点；增益与吸收；崩塌与复苏现象 中图分 类号 ：O431．2 文献标识码 ：A Investigation ofasinglesem iconductorquantum dot’S absorption and gain properties ZHAOShun—cai，LIUZheng-dong, LIAOQing-hong (InstituteofModernPhysics，EngineeringResearchCenterforNanotechnology，Nanchang University，Nanchang 330047， China) Abstract：ThedensitymatrixapproachWaSemployedtoinvestigateanalyticallytheabsorption／gainbe- haviorin asemiconductorquantum dotunderthestrongconfinementregime．Thenumerical resultsshow thedistributionsymmetryofthegaintroughna dabsorptioncrestremainsthesazfleatsomedifferenttime， na dthephenomenaofmirrorreflection occurs．However，duringtheevolutionduration thelongtimeab— sorption／gainbehaviorofthequantumdotsystemoscillatesfuriouslyandatypicalinterestingquantum opticalphenomenaofcollapse—revival emergences． Keywords：quantum optics；semiconductorquantum dot；absorptionna dgain；collapse—revival phenomena 1 引 言 量子点材料一般由II。VI族或 III-V族元素组成，如 目前研究较多的 CdS、CdSe、CdTe、ZnS 等。近年来，半导体量子点由于其独特的性质越来越受到人们的重视 【引。在半导体量子点中，当粒径与 Wannier激子 Bohr半径相当或更小时，处于紧束缚区，易形成激子，产生激子吸收带 [7~11]。半导体吸 收一个光子之后，电子 由价带跃迁至导带，因库仑作用电子仍然和价带中的空穴联系在一起，形成了激子 态。固体中的激子态可用类氢模型加以描述，激子具有相应的基态、激子态和双激子激发态。当半导体导 基金项 目 国家自然科学基金资助项目 作者简介 赵顺才 (1977一)，硕士，主要从事量子光学的学习与研究。 E—mail：