绕组工艺对寄生参数影响.docVIP

高频寄生参数 在设计高频磁性元件的绕制工艺时需考虑到漏感及分布电容的影响，这两个参数是分布在磁性元器件的整个绕组中，但为了简单起见，它们被表示成集总的常数，如下图1所示。漏感对一次用Lp表示，对二次用Ls表示，等效集总参数电容对一次和二次绕组分别用Cp和Cs表示，直流电阻Rp和Rs分别是一次和二次绕组的等效电阻，Cw是绕组与绕组间的等效电容，Re是与铁芯损耗等效的并联电阻。 图1.考虑寄生参数的变压器等效电路 在低压高功率场合，因分布电容中储存的电场能量(CU2/2)与漏感中储存的磁场能 量(LI2/2)相比较小，因而分布电容的影响可以忽略。但在高压小功率场合，分布电容储能与漏感储能相当，甚至比漏感储能大，此时分布电容的影响不可忽略。 在开关转换时，绕组电压发生变化，在变压器内部和主电路回路中引起高频振荡，增加变压器的损耗，并产生高频电磁辐射，同时也会增加功率器件的动态功耗，引起较高的应力如下图所示，成为损坏功率器件的隐患。若输入电压较高，分布电容储能较大，会使得开关管在转换时出现较大的电流尖峰，在采用峰值电流控制的情况下，将影响电流采样的正确性，在轻载时会对电源的稳压精度、稳定性及损耗有较大影响。 图2.开关元器件电流和电压波形 1. 漏感 漏感表示变压器绕组之间不完全耦合所表现出来的寄生效应。耦合系数小于1 表示变压器绕组的空隙中存在漏磁场，漏感大小可以通过计算储存在绕组间的漏磁场能量来确定。可以认为这些漏能量等效于储存在一个集中表示的漏感中，这个漏感就可由下式计算得到： 式中：μo 为真空磁导率；H 为漏磁场强度分布；dV为漏磁场分布的体积元；Lleak 为变压器线圈漏感；Iin 为输入电流。 对变压器中的绕组分布作平面假设，可以得到变压器的磁场图。图3 给出了2 个实例，在导体部分磁场强度增加或减少，在层与层间的空间内磁场强度保持不变。 图3.不同绕组布局时的磁场强度 因磁场能量正比于H的平方，采用交错绕法时Hm会比较小，由此对漏感的影响也比较小。 在层绕线圈中，可以通过交替安排一次和二次绕组来显著地减小漏感Lp和Ls，具有单一次和单二次绕组的标准变压器连同它的漏感如图4所示。取同样的变压器，把二次绕组分开安排在一次绕组的两边，將减小漏感，这样变压器连同它的漏感表达式如图5所示。可以采用interleaving的饶法可以更多的减小漏感，这样变压器连同它的漏感表达式如图6所示。还可以采用上下并派分段骨架线圈的办法，这样变压器连同它的漏感表达式如图7所示。改进的三段并排骨架线圈结构同它的漏感表达式如图8所示。 图4.传统结构变压器 图5.具有简单交错安排三明治饶法 图6. 一次与二次完全交错的Interleaving饶法 图7.罐型磁芯的分段式饶法 图8. 改进的罐型磁芯分段式饶法 2 寄生电容 高频变压器面临着寄生电容的影响，变压器绕组电容有三个方面的坏处： 绕组电容可能使变压器进入谐振； 当变压器工作来自方波电源驱动时，绕组电容可能产生一个很大的一次电流尖峰； 绕组电容可能与其它电路产生静电耦合。 而绕组的寄生电容又可以分为4类：匝间电容，层间电容，绕组间电容，杂散电容。 对于工作在高频的小功率变换器，由于绕组的匝数比较少，匝间电容影响不大，可以通过 介电常数较低的线材来减小匝间电容。 图9.匝间电容 层间电容是主要的寄生电容，我们可以采用如下三种办法减小层间电容： 把一次和二次绕组分组，然后把另外的绕组夹在它们中间，如图5所示； 绕线方式上采用特殊绕制技术； 增加绕组间绝缘层厚度，这将增加漏感，漏感与寄生电容是两个彼消此涨的参数，设计时需要折衷考虑。 2.2绕组间分布电容 绕组间的分布电容可从电容的基本定义推导而得。这个电容是沿着绕组分布的，可以把原副边绕组看成2根半径为a的平行导线A、B，中心相距d，如图4所示。 图10.两平行导线间分布电容示意图 假设原边绕组、副边绕组分别携带电荷q、?q，距离A 的中心x 处P 点的电场强度为E，则场强E为导线A、B 的电荷分别在P 点产生的电场强度EA和EB 的叠加。根据高斯定理： (2) 方向是由A 指向B。因此，A、B 间的电位差UAB 为： (3) 由此可得长为l 的绕组间分布电容为 (4) 式中：ε 为绕组导体间绝缘材料的介电常数；l 为2绕组正对的平均长度。 若绕组采用的是条状铜箔，如平面变压器绕组，则2 个绕组间的电容可使用2 块平行导电板之间的电容计算公式直接求得： (5) 对于绕组间电容，也可以通过增加绕组间的绝缘厚度来减小但会增加漏感，要使饶组间电容减小而又不明显增大漏感的话