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维普资讯 第 2期 无 机 化 学 学 报 V01．19．No．2 2003年 2月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY Feb．，2003 二氧化钒和三氧化二钒研究进展 何 山 韦柳娅 傅 群 林 晨 雷德铭 郑 臣谋 ， (中山大学 物理系，化学系，广州 510275) VO 和VO，是优异的光、电、磁热敏材料，在多种技术领域中具有广阔的应用前景，已成为 国内外新颖功能材料研究的热 点之一。本文综述了VO 和VO，的粉体、陶瓷和薄膜的研究进展，并对相关问题进行讨论。 关键词： 二氧化钒 三氧化二钒 制备 性能 分类号： 0614．511 0 引 言 此可制成膜材料。这种膜材料不仅具有上述电学特 性，而且具有特殊光学特性 。图2是在硅衬底上的 自从 1959年 Morin[l发现 VO：相变特性以来， VO：膜在室温和 373K时的光透射率和反射率 曲 对VO：的研究一直在不断进行，近期更成为研究热 线 7【l。从图2可见，VO：膜相变前后光透射率和反射 点。VO：在 340K附近由低温半导体单斜晶相转变为 率的差别主要出现在红外区域。这种性质使它成为 高温金红石四方晶金属相，并伴随着电阻率 、磁化 “智能窗口”材料的优先候选材料，特别是掺 Mo、W 率、光透射率和反射率的突变。由于这些物理性质 的低 掺杂膜。当室内温度低于 时，太阳光中的 的突变十分优异，例如单晶VOz在 0．1K区间电阻 大部分红外光通过半导体态 的膜，使室 内温度升 率突变高达 5个数量级，高温端金属相电阻率为 高。当温度达到 时，膜由半导体态相变为金属态， 1O n ·in[l，因具有卓越的性能，它们在微电子和 红外光透过率大大降低，使室温保持恒定。利用 VO： 光 电子领域具有众多 的应用 。VOz是所有相变材 的这些性质，还可以制备可擦写随机存储材料 (光 料中相变温度 ( )最接近室温的材料。在VO 中每 掺入 1％W 或 Mo原子时， 分别降低 26K和 11 Kt3．4l ， 这使得这种材料适宜于室温条件下使用。图1 表明VO：材料电阻率 一温度关系曲线。这是一种负 温度系数 (NTC)临界温度 电阻 (CTR)材料，具有很 好的开关特性。在多晶VOz中，电阻突跃比单晶减少 1～2个数量级。同时由图1升降温曲线围成的热滞 回线宽度增大，这是由于多晶晶粒间界导致晶相转 换传播不连续所致，需要额外的热能去推动，才能使 相变越过晶界 isl。这是多晶开关特性较单晶差的原 因。当VO：掺人Mo或W 原子时，材料 减少的同 时，电阻突变的开关特性也降低，归因于掺杂原子填 图 1 VO：电阻率 一温度 曲线 充VO：晶