1.1 常用半导体器件.ppt

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 自由电子 施主原子 　　图 1.1.3　N 型半导体 二、 P 型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 +3 　　空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 　　3 价杂质原子称为受主原子。 受主原子 空穴 图 1.1.4　P 型半导体 说明： 　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 　　2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 图 　杂质半导体的的简化表示法 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 图 　PN 结的形成 一、PN 结的形成 1.1.3　PN结 PN 结中载流子的运动 耗尽层 空间电荷区 P N 1. 扩散运动 　　2. 扩散运动形成空间电荷区 　　电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 —— PN 结，耗尽层。 P N （动画1-3） 3. 空间电荷区产生内电场 P N 空间电荷区 内电场 Uho 　　空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 　　4. 漂移运动 　　内电场有利于少子运动—漂移。 少子的运动与多子运动方向相反 阻挡层 5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。 对称结 　即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 P N 不对称结 二、 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态 又称正向偏置，简称正偏。 外电场方向 内电场方向 　耗尽层 V R I 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。 图 1.1.6 P N 什么是PN结的单向导电性？ 有什么作用？ 　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 2. PN 结外加反向电压时处于截止状态(反偏) 　　反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用； 外电场使空间电荷区变宽； 　　不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流 I ； 由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。 　耗尽层 图 1.1.7　PN 结加反相电压时截止 　　反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感， 　　随着温度升高， IS 将急剧增大。 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS 　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　 （动画1-4） （动画1-5） 综上所述： 可见， PN 结具有单向导电性。 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 三、 PN 结的电流方程 PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为 公式推导过程略 四、PN结的伏安特性 　　i = f (u )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 图 1.1.10　PN结的伏安特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 五、PN结的电容效应 　　当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量　　将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 1. 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积；