电子教材-沉积氧气压力对纳米晶硅光致发光的影响73382.docVIP

本文由秋天的收获2020贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 沉积氧气压力对纳米晶硅光致发光的影响 罗明学 李常青 杨柳 （郑州大学信息工程学院，河南 郑州 450052） 摘要 用脉冲激光（Nd:YAG 激光）沉积技术在硅基上沉积富硅 SiO2 薄膜（SiOx,x2） ，沉积 时氧气压力分别为 1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度约为 300nm。随后， 在氩（Ar）气中 1000℃的温度下对沉积的 SiOx 薄膜进行热退火处理 30min，使在 SiO2 薄膜 中生长出硅纳米晶。用光谱分析仪分析其在室温下的光致发光（PL）光谱时发现，随着沉积 氧气压力的增强，峰值波长在减小（即蓝移）,表明纳米晶硅颗粒在减小；同时，在本研究 中的制作条件下，PL 强度与沉积氧气压力有较强的依存关系，在 2.66-3.99Pa 的氧气压力 条件下沉积制作的试样，得到最大的 PL 强度。 关键词 纳米晶硅；光致发光；脉冲激光沉积 中国分类号 TN304.1，TN383 photoluminescence properties of nanocrystal Si Luo Ming-xue, Li Chang-qing, Yang Liu (College of Information Engineering,Zhengzhou Univercity, Zhengzhou 450052,China) Deposition oxygen pressure effect on the Abstract Silicon suboxides (SiOx,x2) thin films with thickness of 300nm on Si matrices have been fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique using a Nd:YAG laser with different deposition oxygen pressure of 1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，and7.98Pa. After deposition ,the films were annealed in Ar ambient at 1000℃ for 30 min, and Si nanocrystals (nc-si) growed in it. The optic spectrum analyzer was used to analyze the photoluminescence (PL) spectra of the samples at room temperature. It has been observed that PL peak wavelength reduces (blueshift) with increasing oxygen pressure, which showed the size of nc-Si reduces. At the same time, PL intensity strongly depending on the deposition oxygen pressure was also observed, it reached the peak at the pressure of 2.66-3.99Pa. Keywords Nanocrystal Si; Photoluminescence; Pulsed laser deposition 一、引言 硅是微电子器件的主要材料，但由于硅是间接带隙半导体材料，发光效率很低，不利于 硅基光电集成[1]。自从 1990 年 Canham 报道多孔硅的光致发光[2]以来，大大提高了人们研 究硅发光的兴趣， 并在这方面做了大量的实验工作。 尽管纳米晶硅的发光机制仍存在一些争 议，但多数的研究认为，纳米晶硅在可见光及近红外领域的发光主要得益于量子限制效应 [3-5]。制作纳米晶硅有不同的方法，如：硅离子注入法[6]，富氧硅溅射法[7]，富氧硅反应 蒸发法[8]等，这些都是通过控制硅中氧的含量来实现控制纳米晶硅尺寸的大小。本实验是 在脉冲激光沉积过程中，通过控制沉积氧气压力的大小来控制沉积的 SiOx 薄膜中 x（x2） 值的大小，使退火处理后在 SiO2 薄膜中生成不同尺寸的纳米晶硅。 教育部留学回国人员科研启动基金资助的课题，批准号：教外司留（2005）546 号 二、纳米晶硅的制作 本实验