光学学报纳米半球微镜阵列结构对GaN基LED光提取效率影响.pdfVIP

光学学报纳米半球微镜阵列结构对GaN基LED光提取效率影响.pdf

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第 卷 第 期 光 学 学 报 , 32 12 Vol.32 No.12         年 月 , 2012 12 犃犆犜犃犗犘犜犐犆犃犛犐犖犐犆犃 犇犲犮犲犿犫犲狉 2012 纳米半球微镜阵列结构对 基 光 犌犪犖 犔犈犇 提取效率的影响 , 12 1 1 1 1 王晓民 李 康 孔凡敏 张振明 高 晖             1 山东大学信息科学与工程学院,山东 济南 250100 ( 2 山东大学附属省立医院,山东 济南 250014 ) 摘要 为了分析表面纳米半球微镜结构对 基发光二极管( )光提取效率的影响,利用时域有限差分法 GaN LED   ( )分别对 、 、 、聚苯乙烯组成的半球微镜结构进行了分析和比较,同时用模式分析方法从理论上 FDTD GaN ZnOSiO2 对 FDTD计算结果进行了进一步验证。研究发现,在亚波长范围,折射率较小的材料不利于导模与表面结构层的 耦合,不会对光提取效率的提高产生明显影响。相比之下,折射率较大的材料会使更多的模式耦合到半球微镜阵 列层,更有利于光提取效率的提高;当材料选定,纳米半球半径增加时,光提取效率也逐渐增加,优化后半径为 的半球微镜阵列结构 基 ,其光提取效率比没有结构的普通平板 增强 倍,在以上波导材 600nm GaN LED LED 5.66 料结构中最为优化。在此基础上,通过等效折射率的计算得到半球微镜结构的等效折射率模型,并利用非对称平 板模式分析的办法对以上得到的结论进行了分析和验证。这些结果对实际的高性能 基 的设计与优化具 GaN LED 有重要意义。 关键词 光学器件;发光二极管;时域有限差分法;光提取效率;半球微镜结构;模式分析   中图分类号 文献标识码 : / O472 A 犱狅犻10.3788犃犗犛201232.1223001             犈犳犳犲犮狋狅犳犛狋狉狌犮狋狌狉犲狅犳犖犪狀狅犎犲犿犻狊犺犲狉犲犕犻犮狉狅犾犲狀狊犃狉狉犪 狆 狔 狅狀犔犻犺狋犈狓狋狉犪犮狋犻狅狀犈犳犳犻犮犻犲狀犮 狅犳犌犪犖犔犈犇 犵

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