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2017-08-31 发布于安徽
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第24卷　第3期固体电子学研究与进展 V o l. 24,N o. 3　　　　　　　　　　　　　　　　　 2004 年 8 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE A ug. , 2004　直接键合界面性质的研究 Si Si 1 1 2 陈松岩　谢　生　何国荣 (1 厦门大学物理系, 厦门, 361005) (2 中科院半导体所, 北京, 100083) 收稿,收改稿摘要: 通过三步直接键合方法实现了键合。采用、、、拉伸强度等手段对键合结构的 Si Si XPS FT IR I V Si Si 界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明, 高温退火后, 在键合界面没有和网络存在, 键合界面 Si H Si OH 主要由单质和不定形氧化硅组成。同时, 研究还表明, 特性和键合强度强烈地依赖于退火温度。 Si SiO x I V 关键词: 硅直接键合; 界面性质; 红外透射谱; X 射线光电子谱; 伏安特性; 键合强度; 键合机理中图分类号: TN 305. 96　　文献标识码:A 　　文章编号:(2004) 0339006 In terface of Si Si D irectly W afer Bond ing 1 1 2 CH EN Songyan 　X IE Sheng 　H E Guo rong (1 , , , 361005, ) D ep artm ent of P hy sics X iam en U niversity X iam en CH N (2 Institu te of S em icond uctors, Ch inese A cad em y of S ciences, B eij ing , 100083, CH N ) :