忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中应用.pdfVIP

中国科学: 信息科学 2012 年 第42 卷 第6 期: 754–769 论 文 忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中的 应用 段书凯 胡小方 王丽丹 李传东 西南大学电子信息工程学院, 重庆400715 Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA 重庆大学计算机学院, 重庆400044 * 通信作者. E-mail: ldwang@ 收稿日期: 2011–03–26; 接受日期: 2011–07–22 国家自然科学基金(批准号:、重庆市自然科学基金 (批准号: CSTC2009BB2305)、中央高校基本 科研业务费专项 (批准号: XDJK2012A007, XDJK2010C023)、重庆市高等学校青年骨干教师资助计划(渝教人 (2011)65 号)、重 庆市高等学校优秀人才支持计划 (渝教人 (2011)65 号)、西南大学博士科研资助项目(批准号: SWUB2008074) 中国博士后科学基 金 (批准号: CPSF20100470116) 重庆市高等教育教学改革研究重点项目 (批准号: 09-2-011)和西南大学教育教学改革研究项目 (批 准号: 2009JY053, 2010JY070) 资助 摘要 忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻, 可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器 (NVSM), 也称为阻变随机存取存储器 (RRAM). 本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器 (MRRAM) —— 可与现代计算系统相兼容的纳米级二值存储器实现方案, 其结构与静态随机存取存 储器 (SRAM) 类似, 但用忆阻器替代基本RS 触发器存储信息. 在此基础上, 通过改进该MRRAM, 可 以实现在一个存储单元中存储多比特信息( 以灰度级形式) 的多值存储器, 大大提高了存储密度. 给 出的计算机仿真和数值分析验证了本方案在存储ASCII 字符和图像中的有效性, 探讨了灰度图像存 储的新方法. 关键词 忆阻器 阻变随机存取存储器(RRAM) 电路设计 二值存储 多值存储 计算机仿真 引言 1971 年, Chua [1] 根据电路完备性理论上阐述和定义了忆阻器, 称为除电阻、电感和电容之外的 第 4 种基本元器件. 然而, 由于没有物理实物出现, 它一直没有引起人们太多的关注. 直到 2008 年, HP 实验室的研究人员公布基于二氧化钛的交叉存储阵列, 并指出交叉点处的存储单元即为Chua 预 言的忆阻器 [24] , 立即引起了学术界众多学者和工业界人士的深厚兴趣. 至今, 已有化学家、物理学 家以及电气工程师们报道了多种忆阻器物理实现 [510] . 由于制造大规模基于忆阻器的电路较为困难, 也有研究者提出了忆阻器 SPICE 仿真模型 [1112] . 因具有独特的优越性能, 忆阻器在非易失性存储 器 [1319] 、人工神经网络[2021] 、混沌电路[2223] 、可编程逻辑器件[2426] 以及信息处理和模式识别电 [2728] [17] 路 等方面显示出了巨大的应用潜能, 也将为神经形态计算机的发展铺平道路 . 纳米级尺寸的 物理实现使人们相信忆阻器是一种可能延续Moore 定律的全新侯选技术之一. 引用格式 段书凯, 胡小方, 王丽丹, 等. 忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中的应用. 中国科学: 信息科学, 2012, 42: 754–769 中国科学: 信息科学 第 42 卷 第 6 期 随机存取存储器 (RAM) 是计算机数据存储的一种重要形式