SiO2HfO2高反射膜的研制.pdfVIP

第24卷第6期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．24，No．6 LASERANDPARTICI，EBEAMS 2012年6月HIGHPOWER Jun．，2012 文章编号：1001—4322(2012)06-1276—05 Si02／nr02高反射膜的研制。 程鑫彬1’2， 沈正祥Ⅲ， 焦宏飞h2， 马 彬1,2， 张锦龙1’2， 丁 涛h2， 王占山1’2 (1，同济大学物理系。先进微结构材料教育部重点实验室，上海200092，2．同济大学精密光学工程技术研究所，上海200092) 摘要： 主要讨论了电子束蒸发SiO：／HfO：薄膜的面形控制和损伤性能。研究了电子束蒸发工艺参数 对薄膜应力以及面形的影响；分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响。测量了制备薄膜的损伤阈值。 研究结果表明；调整SiO：蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在一250～一50MPa。同时采用金属