半桥拓扑结搆高端MOSFET 驱动方案选择：变压器还是矽晶片？.pdfVIP

半橋拓撲結搆高端 MOSFET 驅動方案選擇 ：變壓器還是矽晶片 ？ 本文由安森美半導體提供 在節能環保意識的影響及世界各地最新效能規範的推動下 ，提高效能已經成為業界 共識。與返馳 、順向 、雙開關返馳 、雙開關順向和全橋等硬開關(hard switching)技 術相比 ，雙電感加單電容(LLC) 、主動箝位返馳、主動箝位順向、非對稱半橋(AHB) 及移相全橋等軟開關(soft switching)技術能提供更高的效能。因此，在注重高效能的 應用中 ，軟開關技術越來越受設計人員青睞 。 另一方面 ，半橋配置最適合提供高效能/高功率密度的中低功率應用。半橋配置涉及 兩種基本類型的MOSFET 驅動器 ，即高端(High-Side)驅動器和低端(Low-Side)驅動 器 。高端表示 MOSFET 的源極能夠在地與高壓輸入端之間浮動 ，而低端表示 MOSFET 的源極始終接地 ，參見圖一。 圖一 LLC 半橋拓撲結搆電路圖 當高端開關從關閉轉向導通時 ，MOSFET 源極電壓從地電平上升至高壓輸入端電 平，這表示施加在MOSFET 閘極的電壓也必須隨之浮動上升。這要求某種形式的隔 離或浮動閘極驅動電路。與之不同，低端MOSFET 的源極始終接地，故閘極驅動電 壓也能夠接地參考 ，這使驅動低端MOSFET 的閘極更加簡單 。 所有軟開關拓撲結搆都應用帶浮接參考接腳(如MOSFET 源極接腳)的功率開關。在 如圖一所示的LLC 半橋拓撲結搆中 ，高端MOSFET 開關連接至高壓輸入端 ，不能 夠採用主電源控制器來驅動 ，而需要另行選定驅動電路 。此驅動電路是控制電路與 功率開關之間的接口 ，將控制訊號放大至驅動功率開關管所要求的電平 ，並在功率 開關管與邏輯電平控制電路之間有要求時提供電氣隔離。 高端MOSFET 驅動方案常見的有兩種，一是以變壓器為基礎的方案，二是以矽積體 電路(IC)驅動器為基礎的方案 。本文將分別討論此兩種半橋拓撲結搆高端 MOSFET 驅動方案的設計考慮因素 ，並從多個角度比較此兩種驅動方案 ，及提供安森美半導 體的建議方案 。 變壓器驅動方案 以變壓器為基礎的高端 MOSFET 驅動方案在設計過程中涉及到一些重要的考慮因 素。例如 ，由於是對地參考點浮動驅動，如果設計中存在400 V 功率因數校正(PFC) 電路 ，則要保持500 V 隔離 。 此外 ，要將漏電感減至最小 ，否則輸出與輸入繞組之間的延遲可能會損壞功率 MOSFET 。要遵守法拉第定律，保持V*T 乘積恆定，否則會飽和。要保持足夠裕量 ， 防止飽和 ，尤其是在交流高壓輸入和瞬態負載的情況下 。要使用高磁導率鐵芯 ，從 而將勵磁電流(IM) 降至最低。要保持高灌電流(sink current)能力 ，使開關速度加快 。 以變壓器為基礎的驅動方案包含兩種主要類型 ，分別是單驅動(DRV)輸入和雙驅動 輸入，參見圖2a 及圖2b 。單驅動輸入方案中，需要增加交流耦合電容(C )來重置驅 C 動變壓器的磁通 。此種方案中的閘極-源極電壓(VGS)幅度取決於工作週期(duty cycle) ；另外 ，穩態時-VC 關閉 ，而在啟動時灌電流能力受限 。 此種方案需要快速的時間常數(L //R * C ) ，防止由快速瞬態事件導致的磁通走漏 M GS C (flux walking) 。 另外 ，在設計過程中 ，也需要留意跳周期模式或欠壓鎖定(UVLO) 時耦合電容與驅動變壓器之間的振鈴 ，需要使用二極體來抑制振鈴。 單驅動輸入包括帶直流恢復的單驅動輸入及帶PNP 關閉的單驅動輸入。其中，帶直 流恢復的單驅動輸入在穩態時VGS 取決於工作週期 ，但灌電流能力有限 ；後者則採 用PNP 電晶體+二極體的組合來幫助改善關閉(switching off)操作 。此外 ，對單驅動 輸入而言 ，還不能忽略與門