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第4l卷 第8期 稀有金属材料与工程 V01.41,No.8
2012年 RARE
8月 METALMATEIuALSANDENGrNEERrNG 2012
August
稀土相RE.Sn表面Sn晶须的生长规律
郝 虎,郭 福,徐广臣,史耀武,宋永伦
(北京工业大学,北京100124)
摘要:将稀土相CeSn3、LaSn3、(Lao4Ceo
6)Sn3及ErSn3暴露于空气中,研究在时效处理过程中其表面sn晶须的生长
规律。结果表明:室温时效过程中,在稀土相的表面均出现了sn晶须的生长现象,且稀土相LaSn,的表面倾向于形成
4Ceo
包状和扭结状的sn晶须,稀土相CeSn3和(Lao
6)Sn3的表面倾向于形成针状和扭结状的sn晶须,而稀土相ErSn3
4Ceo
的表面倾向于形成大尺寸的杆状和棒状Sn晶须。150℃时效过程中,稀土相CeSn3、LaSh3和(Lao6)Sn3的表面没
有出现Sn晶须的生长现象,而稀土相ErSn3的表面出现了大量的小尺寸线状sn晶须。综上所述,稀土相的氧化倾向决
定了其表面Sn晶须的生长规律。
关键词:SnAgCu钎料;稀土;Sn晶须;形态
中图法分类号:TN601 文献标识码:A 文章编号:1002一185X(2012)08.1421.05
人们很早就发现各种基板和镀层的组合或Sn基钎 的加速生长,通过对Sn晶须形态系统的观察与分析,
料焊点的表面会长出直径几微米、长度几微米到几十微 提出稀土相表面Sn晶须的生长规律。
米的须状晶体。由于Sn晶须具有较高的强度、刚度和
1 实 验
高电流负载能力,所以Sn晶须容易直接造成相邻引脚
之间暂时性或永久性的短路【1。3】。Sn晶须在静电或气流
作用下可能变形弯曲,在电子设备运动中可能脱落造成
短路或损坏。在低气压环境中,Sn晶须与邻近导体之
间甚至可能发生电弧放电,造成严重破坏【4,5J。据报道, 金相水砂纸预磨,然后使用3种专用抛光液(1撑,AP.A
在一些需要长时间工作的装置,例如心脏起搏器、雷达、 Powder,0.3 Powder,0.05
A1203:2撑,AP—A A1203:
pm 1am
导弹、卫星及核装置都出现过因Sn晶须导致短路而引 3撑,OP.S
发的事故。随着电子产品封装密度的不断提高,sn晶 顺次抛光。将制备好的试样分别进行室温、125及150
须已经成为无铅化进程中一个重要的可靠性问题。为 ℃高温时效处理,室温时效时间分别为168,312,696,
此,需要进一步找到抑制其生长的有效方法。 720,1000及1528
为了有效抑$0sn晶须的生长,首先必须确定Sn晶rain。利用BMNH
须的生长机制。值得注意的是,Sn晶须的自发生长速 Ion
的生长进行观察;利用FIB(Focused
率非常缓慢,在0.001~0.01nm/s的范围内【61,缓慢的生晶须根部的稀土相剖
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