超低介电常数介孔氧化硅薄膜制备及表征.pdfVIP

维普资讯 第 9期 无 机 化 学 学 报 V01．23No．9 2007年 9月 CHINESEJ0URNAL0FIN0RGANIC CHEMISTRY Sep．，2007 超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征 袁 昊 李庆华 ， 沙 菲 z解丽丽 田 震 王利军 (上海第二工业大学环境工程系，上海 201209) (上海纳米材料检测 中心，上海 200237) 摘要：研究了以正硅酸乙酯 0S)和 甲基三乙氧基硅烷(MeSi(0Et)，)为混合硅源，十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂， 采取 旋涂技术 ，在硅晶片表面制备出二氧化硅透 明薄膜 ，再经过正硅酸乙酯(rI’E0S)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔 道 内的模板剂，制备出具有超低介 电性能的氧化硅薄膜 。使用 FqIR、XRD和 SEM对样品进行 了结构表征．并采用阻抗分析仪测 量了薄膜的介 电常数()，纳米硬度计测量薄膜的弹性模量。介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放 15d后，介 电常数仍旧维持 在超低值范围内，k=1．8O，弹性模量大于 6GP，很好地满足了其在超大规模集成电路 中应用 的要求 。 关键词 ：TEOS蒸汽 ；甲基化 ；介孔氧化硅薄膜 ；超低介 电常数 中图分类号：0649 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2007)09—1587—06 SynthesisofMesoporousThinSilicaFilmswithUltraLow DielectricConstant YUANHao LIQing—Hua， SHAFei XIELi—Li TIANZhen WANGLi．Jun (DepartmentofEnvironmentalEngtneering,ShanghaiSecondPolytechnicUniversity,Shnaghai201209) ~ShnahgaiTestingCenterofNanometerMaterials，Shnahgai200237) Abstract：Vaporphasetreatmentwithtetraethylorthosilicate (TEOS)wasusedtoimprovetheperformanceof methylatedmesoporoussilicafilmsspin．coatedonsiliconwafers．Subsequentcalcinationtreatmentledtofomr ation ofmethy1．functionalized．silicafilmswithhighstructuralstabilityandhydrophobicity．XRD．FrIR resultsshow that thefilmshavehigh sturcturalstabilityandhydrophobicity．SEM imagesindicatethat，rE0Streatmentfavorsthe formationofflatandintegratednon．crackfilms．Dielectricconstant fk)valueofthefilmsiSultralOW，k 1．74，and remainsaslow as1．81afteraging in 25 oC and 50％ ～60％ ．relative．humidity environmentforover 15 days． Mechanicalstrength (elasticmodulusandhardness)ishighenoughtowithstandthestressesthatOccurduringthe chemicalmechanicalpolishingandwirebondi