表面修饰N型多孔硅光致荧光特性.pdfVIP

摘要 摘要 多孔硅 (PS)是近年来发展起来的一种新型硅基材料，具有与单晶 硅材料大不相同的特性，例如，多孔硅可在近红外和可见，甚至近紫外 区辐射强烈的荧光，使得它可用来制造发光器件，并可望在解决光电子 集成电子学的关键问题，为制造带有光源的大规模集成电路等方面开辟 新的途径。本文在用三种电阻率的n型硅片为基底制成室温紫外灯下发 强橙光的多孔硅基础上，对多孔硅进行三种表面修饰，实现了多孔硅的 红、绿、蓝光发射，并对其发光机理进行了探讨。 令体硅为间接禁带半导体，且禁带宽度较窄，室温下很难发光。多 孔硅改变了体硅的能带结构，使禁带展宽，并由间接带隙向直接带隙转 变，实现了室温发光。在比较了制备多孔硅的几种常用方法的基础上， 概括多孔硅的光致荧光 (PL)和电致荧光 (EL)特性，对目前比较流 行的几种发光模型给出了定性的论述，展望了多孔硅的应用前景。多孔 硅表面存在大量的悬挂键，容易引起发光效率的降低，行之有效的克服 方法是进行表面修饰。常见的表面修饰方法包括对多孔硅表面进行氢钝 化、氧钝化、氮钝化、金属钝化等，这些修饰方法各有其特点。 在实验设计方面，首先在三种电阻率差别较大 (分别为 n--Si: 80-1000-cm;n一Si:3-5Q-cm;n一Si:0.003S2-cm)的n型单晶硅片 上阳极氧化出在紫外激发下发强橙光或红光的多孔硅，然后对多孔硅样 品进行三种不同的表面修饰:(1)涂覆四氯化锡的饱和乙醇溶液;(2)涂 覆1.Omol/1四氯化锡，0.03mol/1三氯化锑的乙醇溶液;(3)将PS浸入 胺液的混合液:(C2H5)8N:C2H4(NH,)z3:2中，并结合进行快速热氧化。 比较多孔硅光致荧光性能与未修饰时的不同，并对其表面形貌和化学成 分进行表征。工丫一_ 一z- 摘要 系统研究了阳极氧化条件对n型多孔硅光致荧光特性的影响。考察 了电化学刻蚀电流密度、刻蚀时间、刻蚀液配比及衬底电阻率对PL发 光强度、峰值波长等性质的影响。在此基础上优化出制备多孔硅的具体 参数。 对不掺Sb与掺Sb的SnCl;修饰后的多孔硅进行了光致荧光特性研 究。像现这两种差不多的修饰却出现两种不同峰移现象:前者PL与未 修饰多孔硅相比发生蓝移，峰值波长在 540-560nm (绿光)，而后者发 生红移，峰值波长在650-690nm(红光)。此现象不能仅用量子限制(QC) 效应解释。通过AFM,SEM及FTIR,XPS对这两种多孔硅样品进行表 面形貌和化学成分分析，采用发光中心 (LC)+量子限制效应的复合模 型对上述修饰多孔硅的PL峰移现象进行了理论说明。电子空穴对在纳 米硅粒或硅线中被激发，隧穿到包围纳米硅的氧化层中通过发光中心实 现辐射复合。不掺Sb的SnO:与Si0、层中的发光中心发射的光子能量 为 2.2eV,掺 Sb的SnO:与 Si0、层中的发光中心发射的光子能量为 .9eVe 对多孔硅进行 “胺液浸泡+干氧氧化”处理后，多孔硅样品的PL峰 值波长缩短为415-440nm (蓝光)，且在室温空气中存放近一年后，发 光强度略有增强。FTIR谱表明，处理后的多孔硅主要成分为硅与氧， 胺液没有在样品中留下残迹。由AFM,SEM等形貌图可以看出，处理 后的样品孔隙率很高，表面呈蜂窝状。从发光强度取对数与退火温度倒 数的Arrhenius曲线上，发现在低温区 (200-4000C)和高温区(600-900 ℃)分别对应着两种激活能:0.35eV和0.64eV，表明蓝光发射存在两 种发光机制。卜才一一 - 关键词:多孔硅、光致荧光、表面修饰 一s- Abstract PhotoluminescenceCharacteristicsofN-typePorousSiliconby SurfaceModification Abstract Poroussilicon伊S)isanewtypesilicon-bas