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第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 改性的薄 SOS 膜 CMOS 器件辐射加固特性 刘忠立 　李 　宁 　高见头 　于 　芳 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) μ 摘要 : 利用注硅固相外延的方法对 02 m SO S 薄硅膜材料进行改性 , 并制作了单管 p MO SF E T , nMO SF E T 及 54 HC04 电路. 测量了单管的迁移率 ,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验 ,发现用改性后的 SO S 薄硅 μ 膜材料制作的电路 ,不仅具有同标准 05 m SO S 材料制作的电路相当的动态特性 ,而且具有很好的抗瞬态辐射能 力 ,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平. 关键词 : 固相外延 ; 改性 ; SO S 薄硅膜 ; CMO S 器件 PACC : 0510D ; 2550B ; 2570 F 中图分类号 : TN 305 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 1 　引言 2 　瞬态光电流 通常 的 PD ( p artially dep let ed , 部 分 耗 尽) γ 瞬态剂量率效应往往由瞬态 射线或其他带能 μ CMO S/ SO S 器件使用 05 m SO S 膜制作. 在恶劣 射线作用在半导体器件中产生光电流 ,一般 pn 结 辐射环境中 ,欲提高 CMO S/ SO S 的抗瞬态辐射性 耗尽区是承受电压的主要部位 , 当瞬态辐射如 γ射 能 ,可采取的一个措施是减小 SO S 膜的厚度. 由于 线照射在 p n 结耗尽区上 ,耗尽区内产生大量的电 SO S 膜的载流子迁移率随 SO S 膜的减小急剧降低 , 子空穴对 , 同中性体 Si 区不同 ,此时电子空穴来不 单纯减小 SO S 膜会使 PD CMO S 器件特性受到很 及复合便被正负电场扫向电源形成瞬态光电流. pn 大影响. 作者曾用固相外延 , 即在 SO S 膜中注硅加 结产生的瞬态光电流可用下式表示[2 ] : μ 退火 的方法 , 对 05 m SO S 膜进行材料改性研 t ( ) τ ( ) i t = qA G[ W + D erf + 　　　 究[ 1 ] ,改性材料的迁移率大约能提高 25 %～30 % ,