用代数方法精确研究Li2分子部分电子态的高阶振动能级和离解能.pdfVIP

维普资讯 第29卷 第 1期 西 华 师 范 大 学 学 报 (自然 科 学 版 ) 2008年3月 Vo1．29 No．1 JournalofChinaWestNormalUniversity(NaturalSciences) Mar．2008 文章编号：1673-5072(2008)O1-0029-05 KMgF3：Ni2+晶体局域结构研究 明道广，谌家军 (西华师范大学物理与电子信息学院，四川 南充 637002) 摘 要 ：采用赵敏光等的 a模型，在强场图象中建立了3d。电子组态的多重态计算公式，利用高阶微挠公式推 导出顺磁 g因数的计算解析表达式，并在能量矩阵、g因数与掺杂真实晶体结构常数之间建立起关联公式．将此模 型应用于KMgF，：Ni 晶体 ，计算其 d—d跃迁光谱和EPR谱并与实验数据对比，发现KMgF，晶体在掺人 Ni“后其 结构应发生同向延伸变化，畸变量△ =0．O04nm，计算结果与实验值符合较好． 关键词 ：晶体场；晶格局域结构 ；光谱；g因数 中图分类号：0737 文献标识码：A 1 引 言 当掺杂离子与基质晶体中金属离子的几何线度和电荷不相同时，掺络离子晶体的局域结构往往会发生 畸变，这种变化将影响到掺杂晶体的光学、磁学等性质．近年来的研究 表明，通过计算络合物光谱 ，特别 是与晶体结构参数具有非常灵敏依赖关系的电子顺磁共振参量值D，E与g因数的计算，可以确定掺杂过渡 金属离子的晶体发生的晶格局域结构变化．这对进一步研究掺杂离子晶体的晶格局域结构进而研究掺杂晶 体的光学、磁学、热学等性质提供 了一种可行的研究方法． 随着光谱和电子顺磁共振(EPR)技术的发展，晶体场理论与光谱和 EPR技术密切结合，大大促进 了对 晶体 中过渡族金属杂质离子的光学和磁学性质的研究工作．上世纪60年代初，Griffith ，Ballhausen 从不 同角度总结了近 10年中晶体场理论的进展及过渡族金属络合物的光学和磁学性质等内容．随着可见光谱、 近红外光谱、紫外光谱和磁矩测量技术的发展，以及观测分子结构的仪器精度的提高，晶体场理论更广泛地 应用于络离子吸收谱、磁矩和基态分裂等方面的研究．Sugano 等人用强场方案对 3d“电子组态在 O 对称 下作 了完整处理，推出了O 点群的所有耦合系数及强场 Sr能量矩阵，但在计算 中可调参数较多，计算结果 在某些方面不令人满意．上世纪末，赵敏光等用弱场方案 研究了掺3d“离子化合物的光学、磁学性质，并在 弱场图象中对Ni2+一6X一络合物的光谱与 EPR参量计算提出了一个半经验 的计算模型—— a关联模 型 ，用这一模型可以不用任何可调参量便可计算出Ni“一6x一络合物的光谱与EPR参量． 本文将采用强场图象与Ni“一6X一络合物的 a关联模型来建立掺Ni 的晶体在 O 对称下的局域结 构参数与光谱、g因数之间的关联公式，并应用于统一计算顺磁离子络合物的晶格局域结构、光谱和g因数 参数，确定掺杂晶体KMgF，：Ni 的晶格局域结构畸变大小．在计算中没有引入可调参量，计算结果与与实验 观测数据甚为符合，说明本文采用以上的理论、方法和模型来处理相关问题是合理可行的． 2 理论模型 2．1 能量哈密顿矩阵 Ni离子具有3d。电子组态，根据电荷与空穴互补态理论，在 O 对称下，强场 图象中3d。离子的能量哈 密顿量可以表述为 3d 空穴组态，其哈密顿算符表示为 收稿 日期 ：2007—12—05 基金项 目：四JlI省科技厅研究项 目(2006J13—167)；四JlI省教育厅重点科研资助项 目(2006C022) 作者简介：明道广(1982一)，男，河南信阳人，西华师范大学物理与电子信息学院理论物理硕士研究生，主要从事凝聚态 物理研究． 维普资讯 30 西华师范大学学报 (自然科学版) 2008年