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邓金祥 等：立方氮化硼薄膜表面的XPS 研究 3187 立方氮化硼薄膜表面的XPS研究* ∗ 1 1 2 2 2 2 2 2 邓金祥 ，陈 浩 ，陈光华 ，刘钧锴 ，宋雪梅 ，朱秀红 ，王 波 ，严 辉 （1. 北京工业大学 应用数理学院，北京 100022 ； 2. 北京工业大学 新型功能材料教育部重点实验室，北京 100022 ） 摘 要：研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立 辅助化学汽相沉积(PACVD)等。无论用何办法制备立 方氮化硼薄膜的成核机理和应用，具有重要的价值。 方氮化硼薄膜，都存在成核和生长条件难以控制的问 本文用 XPS 对立方氮化硼薄膜表面进行研究，并对 题，因而获得高立方相含量的立方氮化硼薄膜是非常 有关问题进行了讨论。XPS 分析表明，立方氮化硼薄 困难的。 膜表面除了B 、N 外，还含有C 和O。从XPS 谱图 我们用衬底偏压调制射频溅射的方法，在一定实 计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B 为0.90 ，较 验条件下得到了立方相含量在 90% 以上的立方氮化 接近于氮化硼的理想化学配比 1:1；不含立方相的氮 硼薄膜。研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立 化硼薄膜的 N/B 为 0.86 ，离氮化硼的理想化学配比 方氮化硼薄膜的成核机理和应用，具有重要的价值。 1:1 较远。计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的 X 射线光电子能谱(XPS) 是表面分析的重要手段之 厚度约为0.8nm 。 一，它不仅能通过分析原子内层电子的结合能分析成 关键词：立方氮化硼薄膜；表面；X 射线光电子能谱 分，而且通过结合能的位移 （称为化学位移）分析原 中图分类号：O484.1 文献标识码：A 子所处的化学环境，从而得到化合物的构成信息。本 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 文用 XPS 对立方氮化硼薄膜表面进行研究，并对有 关问题进行了讨论。 1 引 言 2 氮化硼表面的XPS 分析 立方氮化硼薄膜是一种理想的新型宽带隙 (Eg≈6.6eV)半导体薄膜材料。立方氮化硼具有高的电 2.1 氮化硼薄膜表面的XPS 分析和硼氮原子比 阻率和高的热稳定性，可被掺杂成p型和n型，不仅可 我们对3 个样品（1#、2#和3# ）进行了XPS分析。 能用于制作高频、大功率、高温电子器件，而且还可 XPS 测试时样品表面的电荷积累会引起特征峰结合 能用于制作场致电子发射器件 （如：图象数字摄录和 能的位置的移动(为节约篇幅,我们略去了样品的XPS 平面显示）。立方氮化硼还具有高的热导率以及与Si、 谱图全图) ，我们以C1s 的峰位(284.60eV) 为标准对 GaAs更接近的热膨胀系数，使之可以成为很好的热 XPS谱图进行了定标。每个样品谱图中都有B1s和N1s 沉材料。因此，立方氮化硼在电子学方面有着极其广 特征峰，另外谱图中 284eV和 532eV 附近的峰为C1s 泛的应用前景。 和O1s 的特征峰（表 1 给出了这些特征峰的峰位）， 1979 年，Sokolowski 采用脉冲等离子体方法成功 747eV为O 的俄歇峰（O(KLL) ）。因此每个样品除了B 、 地合成了立方氮化硼薄膜，