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第五章 量子霍耳效应 量子霍耳效应现象 一、霍耳效应 + y I ΔV b z - fL d x a 图5-1 霍耳效应 在介绍量子霍耳效应（缩写为QHE）之前，有必要回顾一下普通的霍耳效应。取一块长方体金属样品（a×b×d），让电流I沿x方向通过，在z方向加一均匀磁场B。由于电子受洛兹力fL的作用，故样品沿y方向将产生一电压VH，称为霍耳电压，这就是通常所讲的霍耳效应。半经典半量子的理论认为，金属中只有费密能级附近的电子可以自由运动。因为泡利原理限制了其它低于费密能级电子的活动性。假定费密电子在连续的两次碰撞之间自由行走的平均时间和平均路程分别为和，并称为平均自由时间，为平均自由程。显然有，VF是费密运动电子的速度。在外电场E沿x方向作用的情况下，电子有一平均速度增量，为 (5.1) 电流密度与电子运动的关系为 (5.2) 式中，n是电子的数密度，m是电子的有效质量。将（5.2）式与欧姆定律作比较，得到电导率为 (5.3) 电子因洛伦兹力而引起的速度增量为 (5.4) 于是产生y方向的电流，为 所以总电流为 (5.5) 一个二维导体置于平面内，取B沿z方向，则（5.5）式可以写成矩阵形式 (5.6) 实际上，对（5.5）式分别取x和y方向上的分量，则有 (5.7) 式中的电流项移到左边，并除以，即为（5.6）式。记电阻率为 则（5.6）式简记为 (5.8) 这里电阻率不再是标量，而是一个张量。 电导率是的逆矩阵：容易求出 这里是电子在磁场中的回旋率。综上所述，得出以下结论： 1、一般情况下，电阻率和电导率是张量，而非标量。 2、霍耳电阻率即电阻率的非对角项，它们不是独立的，而是互为相反数，而对角项。 二、量子霍耳效应 Hall效应发现后，大约经过了100年，Klaus. Von Klitzing（克劳斯·冯克里青）、Dorda（多达）和Pepper（波普）在1980年发表了关于QHE的实验工作报告。为此，冯克里青获得了1985年诺贝尔物理奖。 什么是QHE，简单地说，在一定条件下，处在强磁场中的二维电子系统，其电导率张量为 (5.9) 这里i是整数。换句话讲，电流密度j严格地与电场E垂直，且电流值是量子化的。 从(5.9)式可知，当Ex=0时 (5.10) 将(5.10)式记为 (5.11) 由此得到QHE的主要特点是： 1. 。 2. 电导率张量的非对角项由基本常数e、h构成，即 (i是整数) 而对角项为零，表明电流是无耗散的。 QHE与超导、超流似乎有某种联系。 A VL B I S VH W D C L 图5-2 Hall电阻测量 由于i取整数，故也称QHE为整数量子霍耳效应，记为IQHE。 1982年，Daniel. Tsui（丹尼尔·崔）、Stormer（斯托美）和Gossard（戈沙德）发现，在极低温下，理想样品的i值能被一系列分数值f代替，特别有趣的是，这些分数的分母必须是奇数，即f=1/3，2/3，2/5，8/5，3/7，4/7…。这一现象称为反常量子Hall效应或分数量子Hall效应，记为FQHE。 在实际的实验过程中，电导率张量和电阻率张量都是非直接测量量，只有电阻或电导才是直接测量量。图5-2是对样品进行测量的简单原理图。电子从S源出发，穿过样品到漏极D。触点A、B、C用来测量电压VL和HH。基本的关系式为 L是样品长度，W是样品宽度。于是，纵向电阻和横向电阻分别为 (5.12) (5.13) （5.12）式是通常的电阻率定律。式(5.13)表明Hall电阻与样品的几何尺寸无关。 h/e2RH 3 2 1 1 2 3 nhc/eB 图5-3 Hall电阻台阶 按照通常的Hall效应理论，应有 则与应呈直线关系