集成电路(芯片)封装发展过程.pdfVIP

集成电路封装的发展过程 近年来，半导体器件为实现高功能化和高集成化，使得布线更微细，结构更复杂，芯片尺寸 大型化。同时，为实现高密度安装，出现了SMT 工艺，要求封装件向小型化薄型化发展。另一方 面为了满足高功能半导体多引线化的要求还出现了多引线大型封装。 封装技术是一种将集成电路打包的技术。拿我们常见的内存来说，我们实际看到的体积和外 观并不是真正的内存的大小和面貌，而是内存芯片经过打包即封装后的产品。这种打包对于芯片 来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的 腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏 还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB的设计和制造，因此它是至关重要的。 封装也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护 芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁芯片上的接点用 导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此， 对于很多集成电路产品而言，封装技术都是非常关键的一环。 芯片的封装技术种类实在是多种多样，诸如DIP、QFP、TSOP、BGA、CSP等等，一系列名称看 上去都十分繁杂，其实，只要弄清芯片封装发展的历程也就不难理解了。芯片的封装技术已经历 经好几代的变迁，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频 率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使 用更加方便等等，都是看得见的变化。 电子产品正朝着便携式/小型化、网络化和多媒体化方向发展，这种市场需求对电路组装技 术提出了相应的要求：单位体积信息的提高（高密度化）；单位时间处理速度的提高（高速化）。 为了满足这些要求，势必要提高电路组装的功能密度，这就成为了促进芯片封装技术发展的最重 要的因素。CPU和其他超大型集成电路在不断发展，集成电路的封装形式也不断作出相应的调整 变化，而封装形式的进步又将反过来促进芯片技术向前发展。从封装结构可以这样地归纳封装的 发展进程：TODIPLCCQFPTSOPBGACSPPGALGAMCM3D。 1、 TO 封装，IC封装史始于30 多年前。当时采用金属和陶瓷两大类封壳，它们凭其结实、可靠、散热好、功耗 大、能承受严酷环境条件等优点，满足从消费电子产品到空间电子产品的需求。但它们有诸多制约因素，即 重量、成本、封装密度及引脚数。最早的金属壳是TO 型，俗称 “礼帽型”如图1。；陶瓷壳是扁平长方形， 如图2。 Pic 1 Pic 2 2、DIP （Dual In-line Package）双列直插式封装 DIP-tab Dual Inline Package with Metal Pic 3 Heatsink DIP封装特点： (1)适合PCB的穿孔安装，操作方便； (2)比TO型封装易于对PCB布线； (3)芯片面积与封装 面积之间的比值较大，故体积也较大；（4）外部引脚容易在芯片的插拔过程当中损坏，不太适用于高可靠性场合； （5）DIP封装还有一个致命的缺陷，那就是它只适用于引脚数目小于100 的中小规模集成电路。 有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电 路板上进行焊接。 DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP （含玻璃陶瓷封接 式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装 面积之比，这个比值越接近l越好。以采用40根I/O引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装 面积= （3 x3）/ （15．24 x 50）=1：86，离l相差很远。这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了 很多有效安装面积。 3、 LCC(Leaded Chip Carri