Al薄膜纳米压痕过程多尺度模拟.pdfVIP

第 45卷 第 2期 仓 扁 学 玫 VOl1．45 No．2 2009年 2月 第 129— 136页 ACTA METALLURGICA SINICA Feb． 2009 PP．129—136 Al薄膜纳米压痕过程的多尺度模拟 黎军顽 倪玉山 林逸汉 罗 诚 (复旦大学力学与工程科学系，上海200433) 江五贵 (FacultyofBuiltEnvironmentandEngineering，QueenslandUniversityof Technology,BrisbaneQLD4001，Australia) 摘 要 采用多尺度准连续介质法分别模拟无缺陷和具有初始缺陷两种状态下，单晶Al薄膜纳米压痕初始塑性变形过程，得到 载荷 一位移响应曲线和应变能 一位移变化曲线．研究了初始缺陷对纳米压痕过程中位错形核与发射、Peierls应力以及位错发射． I界载荷的影响．结果表明，在整个纳米压痕过程中出现了多次位错形核与发射现象，初始缺陷对第 1和第 3对位错的形核与发射 影响较小，而对第 2对位错的形核与发射具有明显的推迟作用，并伴随有裂纹扩展现象；由于初始缺陷引起薄膜材料内部严重的晶 格畸变，导致系统应变能和位错运动的 Peierls应力增加；裂纹扩展前，发射第 2对位错需要的临界载荷增加，裂纹失稳后，位错发 射需要的临界载荷下降．模拟获得的纳米硬度和 Peierls应力与实验结果吻合． 关键词 Al薄膜，纳米压痕，多尺度，准连续介质法，初始缺陷 中图法分类号 TB383 文献标识码 A 文章编号 0412-1961(2009)02—0129—08 M U I』TISCALE SIM UL T10N 0F NAN0INDENTAT10N oN AlTHIN FILM LIJunwan．NIYushan LIN Yihan LUO Cheng DepartmentofM echanicsand EngineeringScience，Fudan University,Shanghai200433 】IANG Wuqui ． FacultyofBuiltEnvironmentandEngineering，QueenslandUniversityofTechnology，BrisbaneQLD4001，Australia Correspondent：NIYushan，associateprofessor,Tel：(021E-maihniyushan@fudan．edu．an SupportedbyNationalNaturafScienceFoundation o ． ． fChina(N M anuscriptreceived 2008—07-20．in revisedform 2008-10-16 ABSTRACT In orderto study theearlystagesofplasticdeformation with initialdefectunder theaction ofan indenter，the nanoindentation processesofthesinglecrystalalum inum thin film weresimulated using thequasicontinuum method． Theload V8displacementresponsecurvesand strainenergy