掺杂离子对本征导电聚吡咯电化学容量性能影响.pdfVIP

掺杂离子对本征导电聚吡咯的电化学容量性能的影响 * 王杰,徐友龙 ,陈曦,杜显锋,李喜飞 ( 西安交通大学电信学院，陕西 西安 710049) E-mail: ylxu@ 摘要: 在用正交实验方法优化反应条件的基础上,用电化学方法制备了对甲基苯磺酸根 - - - (TOS),高氯酸根(ClO )和氯离子(Cl )掺杂的聚吡咯(PPy)膜.用循环伏安,恒电流充放电和 4 电化学阻抗谱(EIS)等方法测试了它们的电化学容量性能.用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射仪 (XRD)分别研究了这三种PPy膜的形貌和结构.研究发现,由于具有疏松多孔的形貌和更有序 的分子链结构,PPy-TOS和 PPy-Cl膜具有较快的充放电能力,在深度充放电时仍具有很小的 电化学电阻和接近理想电容器的离子扩散模型. PPy-Cl（聚合电量 2mAh/cm2 ）的比容量在扫 描速率为 5mV/s时高达 270F/g，扫描速率 200mV/s时高达 175F/g.PPy-TOS由于具有较重的掺 杂离子(TOS-)而比容量略低(146F/g,扫描速率 5mV/s),但具有超快速充放电能力,在扫描速 率为 200mV/s时,比容量为 123.6F/g.因此,PPy-TOS和PPy-Cl将是两种理想的超级电容器的 电极材料. 关键词 聚吡咯膜;容量;电化学聚合;电化学阻抗谱;扫描电镜;X-射线衍射. 1.引言 随着石化资源的逐步枯竭和它对环境和生态影响的日益严重,节约和高效洁净使用能源 越来越受到重视。电化学电容器作为高效储能器件之一受到人们广泛关注[1].由于存在不同 的氧化状态,导电聚合物(如聚苯胺,聚噻吩,聚吡咯,以及它们的衍生物)在电化学储能特别 是电化学电容器(超级电容器)[2-7]方面具有广泛的运用前景.其中,导电聚吡咯由于具有优异 [8] [5-7] [9] 的电性能 和电化学性能 ,特别还具有合成容易和环境友好 等优势,被认为是最具有实 用价值的导电聚合物材料之一. 由于聚吡咯的电化学储能与聚吡咯的氧化状态和结构有关,人们广泛研究了聚吡咯的制 备条件和测试条件对聚吡咯的结构和电化学活性的影响[5-7,10-12].因为聚吡咯的充放电过程实 际是掺杂对离子(阴离子)的掺杂与脱掺杂过程,因此制备时掺杂阴离子和测试溶液阴离子对 [10] - 聚吡咯的电化学性能有决定性的影响 . Song S.-H.等研究表明用高氯酸根(ClO )掺杂的聚 4 - [6] 吡咯比用硝酸根(NO3 )掺杂的聚吡咯具有更高的比容量 . Ingram M. D.等研究发现用萘多 磺酸根阶梯掺杂的聚吡咯具有非常快速充放电能力[11].合成温度是另一个重要的影响因 素,Hu Chi-Chang等在 0℃下制备的PPy-Cl的电化学容量性能接近理想电容器性能,其比容量 [12] 2 高达260F/g .同时, Hu Chi-Chang等的研究也表明其理想的厚度为2um(聚合电量1C/cm ), 比容量将随着厚度的进一步增加而降低. 尽管提高聚合物电化学容量性能的一个常用方法是制备碳纳米管和聚合物的复合物,利 用碳纳米管的高导电性提高聚合物的导电性(特别是在脱掺杂状态时的导电性)和“中空”结 构增强离子扩散(特别是在放电状态下聚合物体积收缩时的离子扩散)来提高聚合物的比容 本课题得