氮化镓薄膜研究进展李忠.pdfVIP

第 4期 微细加工技术 № ．4 2003年 12月 M ICROFABRICATION TECHNOLOGY Dec．。2003 文章编号 ：1003—8213(2003)04-0039-06 氮化镓 薄膜 的研 究进展 李 忠 ，魏芹芹 ，杨 利 ，薛成山 (山东师范大学物理与电子学院，济南 250014) 摘要：主要讨论 了III—V族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬 底和缓冲层等相关 问题 ，并提 出了目前 GaN研究中所面临的主要 问题 以及氮化镓材 料的应用前景。 关 键 词 ：氮化镓 ；薄膜 ；半导体 中图分类号 ：0484 文献标识码 ：A 1 引言 代就有很多研究L4J。但 当时存在几个难 以 克服 的困难 5：像生长 的GaN存在大浓度 的 背景 电子 ，难 以得到 p-GaN材料 ，没有合适 以氮化镓 (GaN)为代表 的 III—V 族 宽带 的衬底材料 与 GaN 热性能和 晶格 常数相 匹 隙化合物半导体材料 ，内、外量子效率高 具 配等 ，影 响 了GaN 薄膜 的研 究。近 几年来 ， 有高发光效率 、高热导率 、耐高温 、抗辐射、耐 一 些 突破性技术 的实现使 LN薄膜 的研 究 酸碱 、高强度和高硬度等特性 ，是 目前世界上 空前活跃 6，GaN材料再一次成为人们关注 最先进 的半导体材料 。室温 下 GaN 的禁 带 的焦点 。 宽度为 3，4eV，是优 良的光 电子材料 ，可 以 实现从红外到紫外全可见光范 围的光发射和 红 、黄 、蓝三原色具备 的全光 固体 显示 ，紫外 2 GaN的性质 光可用于大气层外空间的探测 ，短波长可使 激光 打 印、光 盘 存 储 更 细 微 化 、高 密 度 2．1 结构特性 化 【卜2l，GaN 基材料将会带来 IT 行业存储 GaN 为无色透 明晶体 ，一般呈纤锌矿结 技术的革命 。 目前 GaN 主要用来制造高速 构 ，晶格 常数为 a=0，3189Flm，C=0，518 微波器件 、电荷耦合器件 (CCD)、动态存储器 nm J， 此外 ，能稳定存在 的GaN也具有 闪锌 (DRAM)、高亮度蓝色与绿色发光管和紫外 矿结构 ，口=0．452nmL 。 光电探测器 3。由于 Ga 具有优 良的性质 ， 2．2 化学特性 因此 GaN 的生 长 和表征 早 在 20世纪 70年 (JaN具有抗常规湿法腐蚀的特点。在室 收稿 日期 ：2003—08—20；修订 日期 ：2003—10—14 作者简介 ：李忠 (1970一)，男，山东省荷泽市曹县人 ，工学硕 I：学位 ，研究方 向为宽禁带半导体薄膜生长 ；魏 芹芹(1980一)，女 ，山东省淄博市沂源人，硕士研究生 ，研究方向为 (；a 薄膜磁控溅射生长 ；杨利 (1978一)，男，山 东省德州市 禹城人 ，硕士学位 ，研究方 向为 ( 纳米线制备及其性质 的研究， 微 细 加 工 技 术 2003年 温下 ，它不溶于水、酸和碱 ，但能缓慢地溶于热