6H-SiC衬底上SiCGe薄膜生长特性的研究.pdfVIP

6H-SiC 衬底上SiCGe 薄膜的生长特性研究1 林涛，李佳，李连碧，李青民，蒲红斌，陈治明 西安理工大学电子工程系，西安 (710048) E-mail ：Chenzm@ 摘 要：采用低压热壁化学气相沉积法，在 6H-SiC 衬底(001) 面上生长了不同温度 （1100℃~1250 ℃），不同GeH4 流量比（13.8%~44.4% ）的SiCGe 薄膜样品，研究了SiCGe 薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge 组分含量的变化。扫描电镜测试结果表明，SiCGe 薄膜在低温下倾向于岛状生长模式，随着生长温度提高，岛状生长逐渐过渡到层状生长模式， 同时伴有岛形状和密度的变化。X 射线光电子能谱测试得出 SiCGe 样品中Ge 含量约为0.1 ％～0.6 ％，在其他参数不变的情况下，样品的Ge 含量随GeH4 流量比的增大而升高，随生 长温度的降低而升高。此外本文还定性分析了样品中的反相边界缺陷（APB ）。 关键词：SiC；SiCGe；化学气相沉积；APB ；岛状生长 中图分类号：O484.1 1．引言 SiC 材料宽的禁带、高临界击穿电场、高的热导率，使得 SiC 器件可以在高温、大 电流、高器件密度下安全工作，同时 SiC 还具有硬度高、热稳定性好、耐腐蚀等杰出的理 化特征，正是由于这些卓越的电学、理化特性使得 SiC 材料及 SiC 基的其它化合物半导体 材料在高温器件、抗辐射耐腐蚀器件和高频大功率器件等极端电子学领域具有很广的应用前 景，显示出其它材料无法取代的优越性[1,2] 。 为了更好地发挥能带工程在 SiC 材料上的应用，需要象Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体材料那 样通过调整组分来自由调节材料的能带结构和晶格常数。在 SiC 衬底上生长 SiCGe 薄膜， 不仅可以通过调节 SiCGe 中 Ge 组分的含量来调节 SiCGe 材料的禁带宽度，实现对近红 外和可见光的较强吸收[3] ，还可以通过调节 SiCGe 的晶格常数使其更适合外延生长 GaN 基材料。J. Kolodzey 等曾采用离子注入法在 p 型 4H-SiC 衬底上制作了 4H-SiCGe 薄膜，并 在此基础上制成了台阶状的 pnp 型 SiC/SiCGe/SiC 结构的 HBT 器件。该新型 HBT 中使用了 Ge 含量仅为 0.34 ％的SiCGe 层，就可使其相比常规的 SiC 同质结晶体管，最大的电流增益 和厄利电压分别增加 37%和 88% [4] 。这主要归功于 Ge 的掺入改变了能带差，增加了 E-B 结的载流子注入效率，提高了器件增益和厄利电压。由此可见 SiCGe 材料绝对具有很高 的实用价值。但在 SiC 衬底上制备 SiCGe 薄膜时，Ge 组分的掺入比较困难，同时 SiCGe 薄膜的 n 型、p 型掺杂的有效控制也是困难之一[5] 。如果能很好克服以上困难，制作出高 性能的异质结，便会极大促进 SiC 材料在电力电子器件和光电子器件领域的应用[4,6] 。 在前期的的研究中，我们发现采用化学气相沉积（CVD ）法在 SiC 衬底上生长 SiCGe 三元合金时，外延生长多为岛状生长模式，且生长温度的不同将会导致岛状生长特征的 不同[7] 。本文主要报道经过优化工艺参数后生长的 SiCGe 薄膜，研究了薄膜的表面形貌、 生长特性以及薄膜中 Ge 组分含量等和生长条件之间的关系。 1本课题得到国家自然科学基金，教育部高校博士学科点专项科研基金(20040700001)和中国博士 后科学基金(20070411137)的资助。 - 1 - 2 ．实验 本 实 验 所 用 的 设 备 和 工 艺 流 程 请 参 考 文 献 [8] 。 其 中 GeH4 流 量 比 （GeH /(SiH +C H +GeH ) ）为 13.8%~44.4%，生长温度为 1100℃~1250 ℃，生长时间均为 4